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Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing

Agueev, O.A.

Semiconductor physics, quantum electronics, and optoelectronics, 2000-06, Vol.3 (3), p.379-382 [Periódico revisado por pares]

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  • Título:
    Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing
  • Autor: Agueev, O.A.
  • É parte de: Semiconductor physics, quantum electronics, and optoelectronics, 2000-06, Vol.3 (3), p.379-382
  • Idioma: Inglês
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