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A general model for PVD aluminum deposition

Cale, T.S. ; Gandy, T.H. ; Jain, M.k. ; Ramaswami, M. ; Raupp, G.B.

1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, p.350-352

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Título:
A general model for PVD aluminum deposition
Autor: Cale, T.S. ; Gandy, T.H. ; Jain, M.k. ; Ramaswami, M. ; Raupp, G.B.
Assuntos: Aluminum ; Artificial intelligence ; Atherosclerosis ; Biological materials ; Chemical engineering ; Chemical processes ; Differential equations ; Predictive models ; Solid modeling ; Solid state circuits
É parte de: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, p.350-352
Descrição: A model for free molecular transport, surface diffusion and heterogeneous reactions in features during low pressure deposition processes is specialized to simulate film profile evolution during sputtered Al PVD. The dimensionless parameter which results from nondimensionalizing the governing equation dictates film profiles. Feature size dependent step coverages are demonstrated in trenches of aspect ratio one.< >
Editor: IEEE
Idioma: Inglês

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