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Interface morphology in strained layer epitaxy of Si/Si1-xGex layers studied by x-ray scattering under grazing incidence and atomic force microscopy

KOVATS, Z ; SALDITT, T ; METZGER, T. H ; PEISL, J ; STIMPEL, T ; LORENZ, H ; CHU, J. O ; ISMALL, K

Journal of physics. D, Applied physics, 1999-02, Vol.32 (4), p.359-368 [Periódico revisado por pares]

Bristol: Institute of Physics

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Título:
Interface morphology in strained layer epitaxy of Si/Si1-xGex layers studied by x-ray scattering under grazing incidence and atomic force microscopy
Autor: KOVATS, Z ; SALDITT, T ; METZGER, T. H ; PEISL, J ; STIMPEL, T ; LORENZ, H ; CHU, J. O ; ISMALL, K
Assuntos: Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties ; Exact sciences and technology ; Interface structure and roughness ; Low-dimensional structures (superlattices, quantum well structures, multilayers): structure, and nonelectronic properties ; Physics ; Solid surfaces and solid-solid interfaces ; Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties)
É parte de: Journal of physics. D, Applied physics, 1999-02, Vol.32 (4), p.359-368
Editor: Bristol: Institute of Physics
Idioma: Inglês

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