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Remoção de Pb e Bi em liga de níquel por refino a vácuo.
Paspardelli, Clayton
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2011-02-25
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Title:
Remoção de Pb e Bi em liga de níquel por refino a vácuo.
Author:
Paspardelli, Clayton
Supervisor:
Mourão, Marcelo Breda
Subjects:
Remoção De Pb E Bi
;
Vácuo Refino
;
Removal Of Lead And Bismuth
;
Vacuum Refining
Notes:
Dissertação (Mestrado)
Local notes:
Programa Engenharia Metalúrgica
Description:
As origens dos elementos residuais (trace element) nas ligas à base de Ni provém basicamente de duas fontes: (1) minérios e (2) sucatas. O controle da concentração destes elementos residuais é muito importante, pois afetam as propriedades mecânicas dessas ligas. Alguns estudos mostram que os elementos Pb e Bi têm um sério impacto negativo nos resultados dos ensaios de fluência das ligas a base de Ni. A presença dessas impurezas causa o aumento da quantidade de cavidades nos contornos de grão que resultam em fracasso prematuro na vida útil desse material. Dessa forma, este trabalho tem como objetivo estudar a cinética da remoção de elementos residuais, tais como Pb e Bi da liga VAT32 através da aplicação de vácuo durante a elaboração da liga. Os resultados obtidos demonstraram que a taxa de remoção dos residuais Pb e Bi no refino a vácuo atingiram percentuais de 99,6% e 96,1% respectivamente. Fatores como volume do cadinho, elevação de temperatura, níveis de vácuo abaixo de 10-4 mbar, limpeza do sistema que compreende câmara e cadinho (residuais de corridas anteriores), contribuem significativamente para as taxas acima descritas. Por outro lado, quanto maior o volume de liga fundida, diminuição de temperatura, vácuo deficiente ou contaminação do sistema, a taxa de remoção de Pb e Bi são prejudicadas.
DOI:
10.11606/D.3.2011.tde-23032011-094831
Publisher:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica
Creation Date:
2011-02-25
Format:
Adobe PDF
Language:
Portuguese
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Teses e Dissertações USP
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