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Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa

Roberto Marconato Richard Louis Anderson

1969

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FT-43 ) e outros locais(Acessar)

  • Título:
    Contribuição ao estudo do fenômeno da degradação dos diodos de túnel de AsGa
  • Autor: Roberto Marconato
  • Richard Louis Anderson
  • Assuntos: DIODOS
  • Notas: Tese (Doutorado)
  • Descrição: A primeira fase deste trabalho refere-se à fabricação de diodos de túnel de arseneto de gálio. Fabricamos esse tipo de diodo a partir de material tipo p (contaminado com Zn), pelo método de liga (alloy). Utilizando esses dispositivos, refizemos as experiências de Anderson, e os resultados das mesmas foram confirmados. Como a degradação das características tensão-corrente está relacionada com a operação do diodo na região de “corrente de injeção”, procuramos uma “proteção” que não permitisse a degradação de suas características, mas que não impedisse a possibilidade de utilização do dispositivo em circuitos práticos. Verificamos que a colocação de um diodo comum de Si em paralelo com o diodo de túnel de AsGa, efetivamente previne a operação deste, no modo de injeção. Por extrapolação, previmos como sendo da ordem de 105 anos a vida útil provável de um diodo de túnel de arseneto de gálio, “protegido” por uma junção comum de Si, em funcionamento típico e desprezando outras causas e falhas. As teorias existentes sobre a degradação de diodos de túnel de AsGa, envolvem variações nas correntes de tunelamento e de excesso, devidas à criação de defeitos Frenkel. Usando o modelo proposto pelas teorias existentes, concluímos que deve existir uma recuperação das características I-V, após um período de sua degradação. Observamos e, discutindo qualitativamente o problema, caracterizamos essa recuperação.
  • Data de criação/publicação: 1969
  • Formato: 77 p.
  • Idioma: Português
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