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Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio
Ademar Ferreira 1941- Richard Louis Anderson
1969
Localização:
EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central
(FT-354 )
e outros locais
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Título:
Junções epitaxiais p.N de silício obtidas por transporte através de telúrio
Autor:
Ademar Ferreira 1941-
Richard Louis Anderson
Assuntos:
SILÍCIO
;
TELÚRIO
Notas:
Tese (Doutorado)
Descrição:
Este trabalho descreve um método novo de obtenção de junções semicondutoras p-n epitaxiais de silício e estuda as propriedades dessas junções, tendo em vista a viabilidade do método na construção de diodos. Após revisão das técnicas de construção de junções p-n, descreve-se o método em questão, que utiliza crescimento epitaxial, a partir da fase vapor, de uma camada de silício tipo n sobre substrato de silício tipo p. O transporte de silício é feito através de compostos de silício e telúrio. As junções assim obtidas revelaram-se úteis na fabricação de diodos semicondutores. As características de corrente-tensão, capacitância-tensão e fotocorrente de curto-circuito desses diodos foram medidas e os resultados experimentais analisados em função da teoria das junções semicondutoras. A distribuição de impurezas nas junções é do tipo abrupto, conforme medidas de capacitância. Quanto aos mecanismos de corrente, as medidas das características I-V revelaram junções de dopis tipos: aquelas em que a corrente é devida principalmente à geração recombinação na região da carga espacial, e outras, em que há muita corrente de excesso, devido a tunelamento através de estados na banda proibida. O processo não foi verificado na plenitude de suas possibilidades, pois, fatores importantes como controle de gradiente térmico e o grau de pureza dos materiais empregados deixaram a desejar. Dessa forma, uma boa reprodutividade não foi assegurada ainda, mas os melhores resultados obtidos são comparáveis aos de junções de outros tipos.
Data de criação/publicação:
1969
Formato:
107 p.
Idioma:
Português
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