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Crescimento e caracterizacao de estruturas eletronicas de 'GA''AS'/'AL''GA''AS' para aplicacoes em dispositivos

Jose Carlos Rossi Pierre Basmaji

1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (Te1005 )(Acessar)

  • Título:
    Crescimento e caracterizacao de estruturas eletronicas de 'GA''AS'/'AL''GA''AS' para aplicacoes em dispositivos
  • Autor: Jose Carlos Rossi
  • Pierre Basmaji
  • Assuntos: INSTRUMENTAÇÃO (FÍSICA); ELETRICIDADE E ELETRONICA (FISICA); MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
  • Notas: Tese (Doutorado)
  • Descrição: O trabalho descreve a preparacao do material 'GA''AS'/'AL''GA''AS' (arseneto de calcio/ arseneto de calcio e aluminio) para confeccao de dispositivos eletronicos (transistores). O material foi preparado pela tecnica de mbe (eptaxia por feixe molecular), que consiste na sublimacao dos elementos da liga em um ambiente de ultra alto vacuo. Foram crescidas estruturas eletronicas semicondutoras para aplicacao em transistores do tipo delta-fet e hemt (high electron mobility transistor). As amostras foram caracterizadas pela tecnica de efeito hall e capacitancia voltagem para verificacao da concentracao e perfil de concentracao. As propriedades do gas bidimensional foram caracterizadas pela tecnica de magneto transporte e foto exitacao para estudo da foto condutividade persistente. As amostras que se apresentaram adequadas com relacao a mobilidade e concentracao foram usadas para o processamento de dispositivos. Utilizamos a tecnica de foto litografia e lift-of para o processamento dos prototipos de transistores. Os dispositivos foram caracterizados atraves de medidas ixv na temperatura ambiente e nitrogenio liquido sob efeito de iluminacao ou nao. Foram realizadas medidas do efeito de tunelamento de eletrons de contato schottky para o gas bidimensional em estruturas do tipo hemt
  • Data de criação/publicação: 1993
  • Formato: 193p.
  • Idioma: Português
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