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Analysis of radiation effects on individual DRAM cells

Scheick, L.Z. ; Guertin, S.M. ; Swift, G.M.

IEEE transactions on nuclear science, 2000-12, Vol.47 (6), p.2534-2538 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Título:
Analysis of radiation effects on individual DRAM cells
Autor: Scheick, L.Z. ; Guertin, S.M. ; Swift, G.M.
Assuntos: Aerospace electronics ; Capacitors ; Dynamic random access memory ; Error correction ; Ionizing radiation ; Irradiation ; Radiation effects ; Random access memory ; Single event upset ; Testing ; Time measurement ; Voltage
É parte de: IEEE transactions on nuclear science, 2000-12, Vol.47 (6), p.2534-2538
Notas: SourceType-Scholarly Journals-2
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ObjectType-Conference Paper-1
content type line 23
SourceType-Conference Papers & Proceedings-1
ObjectType-Article-3
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Descrição: A novel way to measure the radiation characteristics of DRAM memory cells is presented. Radiation exposure tends to drive retention times lower for cells. The change in retention time (the time period required for a cell to upset without refreshing) is used to measure the effect of irradiation on the DRAM cells. Both the radiation response of a single DRAM cell and the response of all cells as a statistical whole are analyzed.
Editor: New York: IEEE
Idioma: Inglês

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