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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers

Nihei, M. ; Hara, N. ; Suehiro, H. ; Kuroda, S.

Solid-state electronics, 1997-10, Vol.41 (10), p.1647-1650, Article 1647 [Revista revisada por pares]

Elsevier Ltd

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0.3V Bulk-Driven Fully Differential Buffer with High Figures of Merit
0.3V Bulk-Driven Fully Differential Buffer with High Figures of Merit
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0.3V Bulk-Driven Fully Differential Buffer with High Figures of Merit

Gangineni, Manaswini ; Ramirez-Angulo, Jaime ; Vázquez-Leal, Héctor ; Huerta-Chua, Jesús ; Lopez-Martin, Antonio J. ; Carvajal, Ramon Gonzalez

Journal of low power electronics and applications, 2022-09, Vol.12 (3), p.35 [Revista revisada por pares]

Basel: MDPI AG

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10.07uW Multi-Mode Baseband Transceiver for Encrypted Capsule Endoscopy
10.07uW Multi-Mode Baseband Transceiver for Encrypted Capsule Endoscopy
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10.07uW Multi-Mode Baseband Transceiver for Encrypted Capsule Endoscopy

Bae, Jung Hyun ; Sunwoo, Myung Hoon

Journal of signal processing systems, 2021, Vol.93 (1), p.25-32 [Revista revisada por pares]

New York: Springer US

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10th International Scientific Conference of The Military Technical College 7-9 July 2020
10th International Scientific Conference of The Military Technical College 7-9 July 2020
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10th International Scientific Conference of The Military Technical College 7-9 July 2020

IOP conference series. Materials Science and Engineering, 2020-12, Vol.974 (1) [Revista revisada por pares]

Bristol: IOP Publishing

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110th Anniversary: An Overview on Learning-Based Model Predictive Control for Batch Processes
110th Anniversary: An Overview on Learning-Based Model Predictive Control for Batch Processes
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110th Anniversary: An Overview on Learning-Based Model Predictive Control for Batch Processes

Lu, Jingyi ; Cao, Zhixing ; Zhao, Chunhui ; Gao, Furong

Industrial & engineering chemistry research, 2019-09, Vol.58 (37), p.17164-17173 [Revista revisada por pares]

American Chemical Society

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130 nm CMOS Bulk-Driven Variable Gain Amplifier for Low-Voltage Applications
130 nm CMOS Bulk-Driven Variable Gain Amplifier for Low-Voltage Applications
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130 nm CMOS Bulk-Driven Variable Gain Amplifier for Low-Voltage Applications

Arbet, Daniel ; Stopjaková, Viera ; Kováč, Martin ; Nagy, Lukáš ; Rakús, Matej ; Šovčík, Michal

Journal of circuits, systems, and computers, 2017-08, Vol.26 (8), p.1740003 [Revista revisada por pares]

Singapore: World Scientific Publishing Company

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2-D Tungsten Diselenide Nanoflakes for Selective Dopamine Sensing
2-D Tungsten Diselenide Nanoflakes for Selective Dopamine Sensing
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2-D Tungsten Diselenide Nanoflakes for Selective Dopamine Sensing

Ramya, K. ; Tiwari, Aditya ; Sidhartha, P. N. ; Kanungo, Sayan ; Chappanda, Karumbaiah N

IEEE sensors journal, 2023-11, Vol.23 (21), p.25680-25688 [Revista revisada por pares]

New York: IEEE

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8
2-dimensional zeolites
2-dimensional zeolites
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2-dimensional zeolites

Tsapatsis, Michael

AIChE journal, 2014-07, Vol.60 (7), p.2374-2381 [Revista revisada por pares]

Blackwell Publishing Ltd

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2015 NTEA Exhibitor List
2015 NTEA Exhibitor List
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2015 NTEA Exhibitor List

Trailer / Body Builders, 2015-02

Nashville: Endeavor Business Media

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A 0.1-μm MHEMT millimeter-wave IC technology designed for manufacturability
A 0.1-μm MHEMT millimeter-wave IC technology designed for manufacturability
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A 0.1-μm MHEMT millimeter-wave IC technology designed for manufacturability

Rohdin, Hans ; Wakita, Arlene ; Nagy, Avelina ; Robbins, Virginia ; Moll, Nick ; Su, Chung-yi

Solid-state electronics, 1999-08, Vol.43 (8), p.1645-1654 [Revista revisada por pares]

Elsevier Ltd

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