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Mobilidade eletrônica em poços quânticos parabólicos de AlGaAs
Mobilidade eletrônica em poços quânticos parabólicos de AlGaAs
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Mobilidade eletrônica em poços quânticos parabólicos de AlGaAs

Seraide, Rodrigo Migotto

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física de São Carlos 2001-04-20

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Submolecular biology and cancer
Submolecular biology and cancer
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Submolecular biology and cancer

Symposium on Submolecular Biology and Cancer (1978 London, England) G. E. W Wolstenholme (Gordon Ethelbert Ward); D. W Fitzsimons; Julie Whelan

Amsterdam Excerpta Medica New York 1979

Localização: CQ - Conjunto das Químicas    (574.88 S959 )(Acessar)

3
Estudo das propriedades de densidades superficiais de cargas via cálculos auto-consistentes
Estudo das propriedades de densidades superficiais de cargas via cálculos auto-consistentes
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo das propriedades de densidades superficiais de cargas via cálculos auto-consistentes

Pereira, Marcia Da Costa

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos 1989-08-23

Acesso online

4
Evidence of Hot-Electron Effects During Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs
Evidence of Hot-Electron Effects During Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Evidence of Hot-Electron Effects During Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs

Rossetto, I. ; Meneghini, M. ; Tajalli, A. ; Dalcanale, S. ; De Santi, C. ; Moens, P. ; Banerjee, A. ; Zanoni, E. ; Meneghesso, G.

IEEE transactions on electron devices, 2017-09, Vol.64 (9), p.3734-3739 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Regioregular Narrow‐Bandgap n‐Type Polymers with High Electron Mobility Enabling Highly Efficient All‐Polymer Solar Cells
Regioregular Narrow‐Bandgap n‐Type Polymers with High Electron Mobility Enabling Highly Efficient All‐Polymer Solar Cells
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Regioregular Narrow‐Bandgap n‐Type Polymers with High Electron Mobility Enabling Highly Efficient All‐Polymer Solar Cells

Sun, Huiliang ; Liu, Bin ; Ma, Yunlong ; Lee, Jin‐Woo ; Yang, Jie ; Wang, Junwei ; Li, Yongchun ; Li, Bangbang ; Feng, Kui ; Shi, Yongqiang ; Zhang, Baohua ; Han, Dongxue ; Meng, Hong ; Niu, Li ; Kim, Bumjoon J. ; Zheng, Qingdong ; Guo, Xugang

Advanced materials (Weinheim), 2021-09, Vol.33 (37), p.e2102635-n/a [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Temperature-Dependent Access Resistances in Large-Signal Modeling of Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs
Temperature-Dependent Access Resistances in Large-Signal Modeling of Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Temperature-Dependent Access Resistances in Large-Signal Modeling of Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs

Zhao, Xiaodong ; Xu, Yuehang ; Jia, Yonghao ; Wu, Yunqiu ; Xu, Ruimin ; Li, Jingqiang ; Hu, Zhifu ; Wu, Hongjiang ; Dai, Wei ; Cai, Shujun

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2017-07, Vol.65 (7), p.2271-2278 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
High-Performance AlGaN/GaN/Si Power MOSHEMTs With ZrO2 Gate Dielectric
High-Performance AlGaN/GaN/Si Power MOSHEMTs With ZrO2 Gate Dielectric
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High-Performance AlGaN/GaN/Si Power MOSHEMTs With ZrO2 Gate Dielectric

Jiang, Huaxing ; Liu, Chao ; Ng, Kar Wei ; Tang, Chak Wah ; Lau, Kei May

IEEE transactions on electron devices, 2018-12, Vol.65 (12), p.5337-5342 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Bis‐Diketopyrrolopyrrole Moiety as a Promising Building Block to Enable Balanced Ambipolar Polymers for Flexible Transistors
Bis‐Diketopyrrolopyrrole Moiety as a Promising Building Block to Enable Balanced Ambipolar Polymers for Flexible Transistors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Bis‐Diketopyrrolopyrrole Moiety as a Promising Building Block to Enable Balanced Ambipolar Polymers for Flexible Transistors

Yang, Jie ; Wang, Hanlin ; Chen, Jinyang ; Huang, Jianyao ; Jiang, Yingying ; Zhang, Jianqi ; Shi, Longxian ; Sun, Yunlong ; Wei, Zhixiang ; Yu, Gui ; Guo, Yunlong ; Wang, Shuai ; Liu, Yunqi

Advanced materials (Weinheim), 2017-06, Vol.29 (22), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Germany: Wiley Subscription Services, Inc

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Degradation Behavior and Mechanisms of E-Mode GaN HEMTs With p-GaN Gate Under Reverse Electrostatic Discharge Stress
Degradation Behavior and Mechanisms of E-Mode GaN HEMTs With p-GaN Gate Under Reverse Electrostatic Discharge Stress
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Degradation Behavior and Mechanisms of E-Mode GaN HEMTs With p-GaN Gate Under Reverse Electrostatic Discharge Stress

Chen, Y. Q. ; Feng, J. T. ; Wang, J. L. ; Xu, X. B. ; He, Z. Y. ; Li, G. Y. ; Lei, D. Y. ; Chen, Y. ; Huang, Y.

IEEE transactions on electron devices, 2020-02, Vol.67 (2), p.566-570 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

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10
Robustness of 650-V Enhancement-Mode GaN HEMTs Under Various Short-Circuit Conditions
Robustness of 650-V Enhancement-Mode GaN HEMTs Under Various Short-Circuit Conditions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Robustness of 650-V Enhancement-Mode GaN HEMTs Under Various Short-Circuit Conditions

Li, He ; Li, Xiao ; Wang, Xiaodan ; Lyu, Xintong ; Cai, Haiwei ; Alsmadi, Yazan M. ; Liu, Liming ; Bala, Sandeep ; Wang, Jin

IEEE transactions on industry applications, 2019-03, Vol.55 (2), p.1807-1816 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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  1. Seraide, R
  2. Pereira, M
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  5. Symposium on Submolecular Biology and Cancer

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
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  5. Physics

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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