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Substrate Terrace Width Dependence of Direct Growth of GaN on ScAlMgO4 by Radio‐Frequency Molecular Beam Epitaxy
Substrate Terrace Width Dependence of Direct Growth of GaN on ScAlMgO4 by Radio‐Frequency Molecular Beam Epitaxy
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Substrate Terrace Width Dependence of Direct Growth of GaN on ScAlMgO4 by Radio‐Frequency Molecular Beam Epitaxy

Wada, Yuichi ; Deura, Momoko ; Kuroda, Yuya ; Goto, Naoki ; Kayamoto, Seiya ; Fujii, Takashi ; Mouri, Shinichiro ; Araki, Tsutomu

physica status solidi (b), 2023-07, Vol.260 (7), p.n/a [Periódico revisado por pares]

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Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy
Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy
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Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy

Ptak, A.J. ; France, R. ; Beaton, D.A. ; Alberi, K. ; Simon, J. ; Mascarenhas, A. ; Jiang, C.-S.

Journal of crystal growth, 2012, Vol.338 (1), p.107-110 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Self-induced growth of GaN nanowires by molecular beam epitaxy: A critical review of the formation mechanisms
Self-induced growth of GaN nanowires by molecular beam epitaxy: A critical review of the formation mechanisms
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Self-induced growth of GaN nanowires by molecular beam epitaxy: A critical review of the formation mechanisms

Consonni, V.

Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2013-10, Vol.7 (10), p.699-712 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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MBE grown Ga2O3 and its power device applications
MBE grown Ga2O3 and its power device applications
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MBE grown Ga2O3 and its power device applications

Sasaki, Kohei ; Higashiwaki, Masataka ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.591-595 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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AlGaN/GaN/AlGaN DH‐HEMTs Grown on a Patterned Silicon Substrate
AlGaN/GaN/AlGaN DH‐HEMTs Grown on a Patterned Silicon Substrate
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AlGaN/GaN/AlGaN DH‐HEMTs Grown on a Patterned Silicon Substrate

Comyn, Rémi ; Chenot, Sébastien ; Alouani, Wissam El ; Nemoz, Maud ; Frayssinet, Eric ; Damilano, Benjamin ; Cordier, Yvon

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2018-05, Vol.215 (9), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc

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6
Plasma-assisted molecular beam epitaxy growth diagram of InGaN on (0001)GaN for the optimized synthesis of InGaN compositional grades
Plasma-assisted molecular beam epitaxy growth diagram of InGaN on (0001)GaN for the optimized synthesis of InGaN compositional grades
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Plasma-assisted molecular beam epitaxy growth diagram of InGaN on (0001)GaN for the optimized synthesis of InGaN compositional grades

Hestroffer, Karine ; Lund, Cory ; Li, Haoran ; Keller, Stacia ; Speck, James S. ; Mishra, Umesh K.

Physica Status Solidi. B: Basic Solid State Physics, 2016-04, Vol.253 (4), p.626-629 [Periódico revisado por pares]

Blackwell Publishing Ltd

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Reduction of rotational twin formation by indium pre-evaporation in epitaxially grown GaAs films on Si (111) substrate
Reduction of rotational twin formation by indium pre-evaporation in epitaxially grown GaAs films on Si (111) substrate
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Reduction of rotational twin formation by indium pre-evaporation in epitaxially grown GaAs films on Si (111) substrate

Suzuki, Hidetoshi ; Ito, Daiki ; Fukuyama, Atsuhiko ; Ikari, Tetsuo

Journal of crystal growth, 2013-10, Vol.380, p.148-152 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
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Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy

Naritsuka, S. ; Lin, C.H. ; Uchiyama, S. ; Maruyama, T.

Journal of crystal growth, 2013-09, Vol.378, p.303-306 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Energy-decreasing exponential time differencing Runge–Kutta methods for phase-field models
Energy-decreasing exponential time differencing Runge–Kutta methods for phase-field models
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Energy-decreasing exponential time differencing Runge–Kutta methods for phase-field models

Fu, Zhaohui ; Yang, Jiang

Journal of computational physics, 2022-04, Vol.454, p.110943, Article 110943 [Periódico revisado por pares]

Cambridge: Elsevier Inc

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10
Ga-assisted MBE growth of GaAs nanowires using thin HSQ layer
Ga-assisted MBE growth of GaAs nanowires using thin HSQ layer
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Ga-assisted MBE growth of GaAs nanowires using thin HSQ layer

Rieger, Torsten ; Heiderich, Sonja ; Lenk, Steffi ; Lepsa, Mihail Ion ; Grützmacher, Detlev

Journal of crystal growth, 2012-08, Vol.353 (1), p.39-46 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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