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Quasi-2-Dimensional Compact Resistor Model for the Drift Region in High-Voltage LDMOS Devices
Quasi-2-Dimensional Compact Resistor Model for the Drift Region in High-Voltage LDMOS Devices
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Quasi-2-Dimensional Compact Resistor Model for the Drift Region in High-Voltage LDMOS Devices

Tanaka, A ; Oritsuki, Y ; Kikuchihara, H ; Miyake, M ; Mattausch, H J ; Miura-Mattausch, Mitiko ; Liu, Y ; Green, K

IEEE transactions on electron devices, 2011-07, Vol.58 (7), p.2072-2080 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Modeling of 2D bias control in overlap region of high-voltage MOSFETs for accurate device/circuit performance prediction
Modeling of 2D bias control in overlap region of high-voltage MOSFETs for accurate device/circuit performance prediction
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Modeling of 2D bias control in overlap region of high-voltage MOSFETs for accurate device/circuit performance prediction

Tanaka, A ; Oritsuki, Y ; Kikuchihara, H ; Miyake, M ; Mattausch, H J ; Miura-Mattausch, M ; Liu, Y ; Green, K

2010 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2010, p.243-246

IEEE

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HiSIM-HV: A Compact Model for Simulation of High-Voltage MOSFET Circuits
HiSIM-HV: A Compact Model for Simulation of High-Voltage MOSFET Circuits
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HiSIM-HV: A Compact Model for Simulation of High-Voltage MOSFET Circuits

Oritsuki, Y ; Yokomichi, M ; Kajiwara, T ; Tanaka, A ; Sadachika, N ; Miyake, M ; Kikuchihara, H ; Johguchi, K ; Feldmann, U ; Mattausch, H J ; Miura-Mattausch, M

IEEE transactions on electron devices, 2010-10, Vol.57 (10), p.2671-2678 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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HiSIM-HV: A compact model for simulation of high-voltage-MOSFET circuits
HiSIM-HV: A compact model for simulation of high-voltage-MOSFET circuits
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

HiSIM-HV: A compact model for simulation of high-voltage-MOSFET circuits

Mattausch, H.J. ; Kajiwara, T. ; Yokomichi, M. ; Sakuda, T. ; Oritsuki, Y. ; Miyake, M. ; Sadachika, N. ; Kikuchihara, H. ; Feldmann, U. ; Miura-Mattausch, M.

2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2008, p.276-279

IEEE

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Threshold voltage shift of amorphous silicon thin-film transistors during pulse operation
Threshold voltage shift of amorphous silicon thin-film transistors during pulse operation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Threshold voltage shift of amorphous silicon thin-film transistors during pulse operation

ORITSUKI, R ; HORII, T ; SASANO, A ; TSUTSUI, K ; KOIZUMI, T ; KANEKO, Y ; TSUKADA, T

Japanese Journal of Applied Physics, 1991-12, Vol.30 (12B), p.3719-3723 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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Threshold Voltage Shift of Amorphous Silicon Thin Film Transistors
Threshold Voltage Shift of Amorphous Silicon Thin Film Transistors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Threshold Voltage Shift of Amorphous Silicon Thin Film Transistors

Kaneko, Y. ; Oritsuki, R. ; Tsukada, T.

ITE Technical Report, 1985, Vol.9(30), pp.31-34

The Institute of Image Information and Television Engineers

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a-SiTFTのしきい値電圧ドリフト
a-SiTFTのしきい値電圧ドリフト
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a-SiTFTのしきい値電圧ドリフト

金子, 好之 ; 折付, 良二 ; 塚田, 俊久

テレビジョン学会技術報告, 1985, Vol.9(30), pp.31-34

一般社団法人 映像情報メディア学会

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