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1	Material Type: Artículo		Recombination Properties of Diode Structures by Study of Thermal Emission Beyond the Fundamental Absorption Band Piotrowski, T ; Wegrzecki, M ; Czerwinski, A ; Teslenko, G I ; Malyutenko, O Y ; Malyutenko, V K Journal of physics. Conference series, 2014-01, Vol.494 (1), p.12012-5 [Revista revisada por pares] Bristol: IOP Publishing Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
2	Material Type: Artículo		Negative contrast IR emitting device based on the carrier contact exclusion Malyutenko, V K ; Vainberg, V V ; Teslenko, G I ; Malyutenko, O Yu ; Pultorak, J Semiconductor science and technology, 2003-07, Vol.18 (7), p.697-702 [Revista revisada por pares] Bristol: IOP Publishing Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
3	Material Type: Artículo		The transient exclusion effect in intrinsic semiconductors Malyutenko, V K ; Vainberg, V V ; Teslenko, G I ; Malyutenko, O Yu ; Pultorak, J Semiconductor science and technology, 2002-10, Vol.17 (10), p.1058-1063, Article 1058 [Revista revisada por pares] Bristol: IOP Publishing Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
4	Material Type: Artículo		IR study of exclusion-accumulation effects enhanced by the geometrical factor Malyutenko, V K ; Teslenko, G I ; Vainberg, V V ; Piotrowski, T ; Pultorak, J Semiconductor science and technology, 2000-11, Vol.15 (11), p.1054-1060 [Revista revisada por pares] Bristol: IOP Publishing Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
5	Material Type: Artículo		Gate-tunable step-like current through a single-molecule junction Petrov, E. G. ; Teslenko, V. I. Low temperature physics (Woodbury, N.Y.), 2022-12, Vol.48 (12), p.1038-1048 [Revista revisada por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
6	Material Type: Artículo		Accumulation and exclusion of excess carriers observed in inhomogeneous germanium samples Teslenko, G I ; Piotrowski, T ; Pultorak, J Semiconductor science and technology, 1996-01, Vol.11 (1), p.L133-134, Article 133 [Revista revisada por pares] Bristol: IOP Publishing Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
7	Material Type: Libro		Uzbekska︠i︡a SSR: VIII period 1956-1960 Lordkipanidze, L. N ; Teslenko, G. I ; Khamrabaev, I. Kh Tashkent: Izd-vo "Fan" Uzbekskoĭ SSR 1971 Sin texto completo Servicios adicionales Detalles Comentarios y Etiquetas Veces citado Citas Citado por
8	Material Type: Artículo		Features of kinetic and regulatory processes in biosystems Christophorov, L. N. ; Teslenko, V. I. ; Petrov, E. G. Low temperature physics (Woodbury, N.Y.), 2021-03, Vol.47 (3), p.250-267 [Revista revisada por pares] Melville: American Institute of Physics Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
9	Material Type: Artículo		Negative Differential Photoconductivity in Magnetoconcentration Effect Malyutenko, V. K. ; Malozovskii, Yu. M. ; Teslenko, G. I. Physica status solidi. A, Applied research, 1984-01, Vol.81 (1), p.391-398 Berlin: WILEY-VCH Verlag Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
10	Material Type: Artículo		Charge-carrier exclusion and accumulation intensified by ohmic contacts Malyutenko, V. K. ; Teslenko, G. I. ; Vainberg, V. V. Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 1998-05, Vol.32 (5), p.568-571 [Revista revisada por pares] Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por

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