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1
[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)
[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)
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[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)

Liao, X.Z ; Zou, J ; Cockayne, D.J.H ; Matsumura, S

Ultramicroscopy, 2004, Vol.98 (2), p.239-247 [Periódico revisado por pares]

Netherlands: Elsevier B.V

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2
0-3 nanocomposites for optoelectronics and nonlinear optics
0-3 nanocomposites for optoelectronics and nonlinear optics
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0-3 nanocomposites for optoelectronics and nonlinear optics

Yao, Xi ; Zhang, Liangying ; Liu, Chunliang

SPIE 1994

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3
0.07 um InP HEMT MMIC Technology for G-band Power Amplifiers
0.07 um InP HEMT MMIC Technology for G-band Power Amplifiers
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0.07 um InP HEMT MMIC Technology for G-band Power Amplifiers

Lai, R. ; Huang, P. ; Grundbacher, R. ; Farkas, D. ; Cavus, A. ; Liu, P.H. ; Chin, P. ; Chou, Y.C. ; Barsky, M. ; Tsai, R. ; Raja, R. ; Oki, A.

2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006, p.39-41

IEEE

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4
0.1 μm AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistor fabrication by the new method of thinned resist pattern reversed by metal
0.1 μm AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistor fabrication by the new method of thinned resist pattern reversed by metal
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0.1 μm AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistor fabrication by the new method of thinned resist pattern reversed by metal

Tanabe, M. ; Matsuno, T. ; Kashiwagi, N. ; Sakai, H. ; Inoue, K. ; Tamura, A.

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 1996-09, Vol.14 (5), p.3248-3251

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5
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
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0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology

CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R

Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80

Piscataway NJ: IEEE

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6
0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax
0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax
Material Type:
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0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax

Wojtowicz, M. ; Lai, R. ; Streit, D.C. ; Ng, G.I. ; Block, T.R. ; Tan, K.L. ; Liu, P.H. ; Freudenthal, A.K. ; Dia, R.M.

IEEE electron device letters, 1994-11, Vol.15 (11), p.477-479 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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7
0.15-μm n-n gate CMOS technology with channel selective epitaxy and transient enhanced diffusion suppression
0.15-μm n-n gate CMOS technology with channel selective epitaxy and transient enhanced diffusion suppression
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0.15-μm n-n gate CMOS technology with channel selective epitaxy and transient enhanced diffusion suppression

Abiko, Hitoshi ; Ono, Atsuki ; Ueno, Ryuuichi ; Masuoka, Sadaaki ; Shishiguchi, Seiichi ; Nakajima, Ken ; Sakai, Isami

Electronics & communications in Japan. Part 2, Electronics, 1996, Vol.79 (11), p.28-35 [Periódico revisado por pares]

New York: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company

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8
0.24-(mu)m CMOS technology and BSIM RF modeling for Bluetooth power applications
0.24-(mu)m CMOS technology and BSIM RF modeling for Bluetooth power applications
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0.24-(mu)m CMOS technology and BSIM RF modeling for Bluetooth power applications

Chen, E ; Heo, D ; Laskar, J ; Bien, D

Microwave Journal, 2001-02, Vol.44 (2), p.142-152

Dedham: Horizon House Publications, Inc

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9
0.25/spl mu/m In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/InAs/sub 0.3/P/sub 0.7/ composite channel HEMTs with an f/sub T/ of 115GHz
0.25/spl mu/m In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/InAs/sub 0.3/P/sub 0.7/ composite channel HEMTs with an f/sub T/ of 115GHz
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.25/spl mu/m In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/InAs/sub 0.3/P/sub 0.7/ composite channel HEMTs with an f/sub T/ of 115GHz

Liu, D. ; Hudait, M. ; Lin, Y. ; Kim, H. ; Ringel, S.A. ; Lu, W.

2005 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings, 2005, Vol.2, p.3 pp.

IEEE

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10
0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength
0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength
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0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength

Nakao, Shuji ; Tsujita, Kouichirou ; Arimoto, Ichiriou ; Wakamiya, Wataru

SPIE 2000

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  1. Recursos Online (626.426)
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Autor/Criador 

  1. Liu, Y  (29)
  2. Bindilatti, V  (11)
  3. Liu, M  (11)
  4. Shapira, Y  (11)
  5. Liu, W  (9)
  6. Oliveira Jr.  (9)
  7. Liu, J  (8)
  8. Liu, H  (6)
  9. Zhang, Y  (5)
  10. Isber, S  (4)
  11. Liu, Q  (4)
  12. Averous, M  (4)
  13. Haar, E  (4)
  14. Golacki, Z  (4)
  15. Charar, S  (4)
  16. Yao, Y  (4)
  17. Mcniff Junior, E  (4)
  18. Ferreira, M  (3)
  19. Vieira, J  (3)
  20. Zhong, N  (3)
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Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1992  (15.721)
  2. 1992Até1998  (137.985)
  3. 1999Até2005  (438.429)
  4. 2006Até2013  (117.271)
  5. Após 2013  (137)
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Idioma 

  1. Inglês  (677.120)
  2. Japonês  (156.836)
  3. Chinês  (13.343)
  4. Francês  (3.369)
  5. Português  (3.104)
  6. Alemão  (2.515)
  7. Espanhol  (2.375)
  8. Russo  (620)
  9. Turco  (278)
  10. Polonês  (94)
  11. Coreano  (88)
  12. Lituano  (50)
  13. Holandês  (37)
  14. Tcheco  (27)
  15. Norueguês  (26)
  16. Ucraniano  (26)
  17. Italiano  (25)
  18. Eslovaco  (19)
  19. Catalão  (12)
  20. Esloveno  (11)
  21. Indeterminado  (1)
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  1. Liu, Y
  2. Bindilatti, V
  3. Liu, M
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  1. Science & Technology
  2. Life Sciences & Biomedicine
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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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