skip to main content
Idioma:
Primo Advanced Search
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search prefilters
Busca Simples
Mostrar Somente
Refinado por: Base de dados/Biblioteca: Institute of Physics IOPscience extra remover assunto: Physics, Condensed Matter remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Electron paramagnetic resonance of deep boron in silicon carbide
Electron paramagnetic resonance of deep boron in silicon carbide
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electron paramagnetic resonance of deep boron in silicon carbide

Baranov, P G ; Mokhov, E N

Semiconductor science and technology, 1996-04, Vol.11 (4), p.489-494 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Hole traps in indium-doped and indium-free GaAs grown by molecular beam epitaxy
Hole traps in indium-doped and indium-free GaAs grown by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Hole traps in indium-doped and indium-free GaAs grown by molecular beam epitaxy

Brehme, S ; Krispin, P ; Lubyshev, D I

Semiconductor science and technology, 1992-04, Vol.7 (4), p.467-471 [Periódico revisado por pares]

BRISTOL: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Transition-metal impurities in III-V compounds
Transition-metal impurities in III-V compounds
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Transition-metal impurities in III-V compounds

Clerjaud, B

Journal of physics. C, Solid state physics, 1985-07, Vol.18 (19), p.3615-3661

London: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Carrier concentration under high magnetic fields
Carrier concentration under high magnetic fields
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Carrier concentration under high magnetic fields

Cristoloveanu, S ; Chovet, A ; Lakeou, S

Journal of physics. C, Solid state physics, 1983-02, Vol.16 (5), p.927-938

IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Magnetoconcentration and related galvanomagnetic effects in non-intrinsic semiconductors
Magnetoconcentration and related galvanomagnetic effects in non-intrinsic semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Magnetoconcentration and related galvanomagnetic effects in non-intrinsic semiconductors

Cristoloveanu, S ; Lee, J H

Journal of physics. C, Solid state physics, 1980-11, Vol.13 (32), p.5983-5997

IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
EPR and ENDOR investigations of B acceptors in 3C-, 4H- and 6H-silicon carbide
EPR and ENDOR investigations of B acceptors in 3C-, 4H- and 6H-silicon carbide
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

EPR and ENDOR investigations of B acceptors in 3C-, 4H- and 6H-silicon carbide

Greulich-Weber, S ; Feege, F ; Kalabukhova, K N ; Lukin, S N ; Spaeth, J-M ; Adrian, F J

Semiconductor science and technology, 1998-01, Vol.13 (1), p.59-70 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Exclusion effects revisited: nontraditional use of narrow-gap semiconductors
Exclusion effects revisited: nontraditional use of narrow-gap semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Exclusion effects revisited: nontraditional use of narrow-gap semiconductors

Malyutenko, V K

Semiconductor science and technology, 1993-01, Vol.8 (1S), p.S390-S395 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Exclusion in the semiconductor p+-p-p+ structure under conditions of a temperature gradient
Exclusion in the semiconductor p+-p-p+ structure under conditions of a temperature gradient
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Exclusion in the semiconductor p+-p-p+ structure under conditions of a temperature gradient

Malyutenko, V K ; Sokolov, V N ; Vainberg, V V ; Piotrowski, T ; Pultorak, J

Semiconductor science and technology, 1998-01, Vol.13 (1), p.54-58 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
IR study of exclusion-accumulation effects enhanced by the geometrical factor
IR study of exclusion-accumulation effects enhanced by the geometrical factor
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

IR study of exclusion-accumulation effects enhanced by the geometrical factor

Malyutenko, V K ; Teslenko, G I ; Vainberg, V V ; Piotrowski, T ; Pultorak, J

Semiconductor science and technology, 2000-11, Vol.15 (11), p.1054-1060 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Negative contrast IR emitting device based on the carrier contact exclusion
Negative contrast IR emitting device based on the carrier contact exclusion
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Negative contrast IR emitting device based on the carrier contact exclusion

Malyutenko, V K ; Vainberg, V V ; Teslenko, G I ; Malyutenko, O Yu ; Pultorak, J

Semiconductor science and technology, 2003-07, Vol.18 (7), p.697-702 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Revistas revisadas por pares (16)

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1983  (2)
  2. 1983Até1991  (2)
  3. 1992Até1993  (5)
  4. 1994Até1998  (7)
  5. Após 1998  (4)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Japonês  (2)
  2. Russo  (1)
  3. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.