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1
Highly Linear Integrated Wideband Amplifiers
Material Type:
Livro
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Highly Linear Integrated Wideband Amplifiers

Sjöland Henrik Sjöland

Springer US 1999

Acesso online

2
Analysis and design of a GHz bandwidth adaptive bias circuit for an mmW Doherty amplifier
Material Type:
Artigo
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Analysis and design of a GHz bandwidth adaptive bias circuit for an mmW Doherty amplifier

Elgaard, Christian ; Sjöland, Henrik

Analog integrated circuits and signal processing, 2024, Vol.120 (1), p.39-58 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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3
An LO phase shifter with frequency tripling and phase detection in 28 nm FD-SOI CMOS for mm-wave 5G transceivers
Material Type:
Artigo
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An LO phase shifter with frequency tripling and phase detection in 28 nm FD-SOI CMOS for mm-wave 5G transceivers

Gannedahl, Rikard ; Sjöland, Henrik

Analog integrated circuits and signal processing, 2023, Vol.114 (1), p.1-11 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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4
An ultra-low power high-precision logarithmic-curvature compensated all-CMOS voltage reference in 65 nm CMOS
Material Type:
Artigo
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An ultra-low power high-precision logarithmic-curvature compensated all-CMOS voltage reference in 65 nm CMOS

Ghanavati Nejad, Tayebeh ; Farshidi, Ebrahim ; Sjöland, Henrik ; Kosarian, Abdolnabi

Analog integrated circuits and signal processing, 2021-05, Vol.107 (2), p.319-330 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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5
6G Wireless Systems: Vision, Requirements, Challenges, Insights, and Opportunities
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Artigo
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6G Wireless Systems: Vision, Requirements, Challenges, Insights, and Opportunities

Tataria, Harsh ; Shafi, Mansoor ; Molisch, Andreas F. ; Dohler, Mischa ; Sjoland, Henrik ; Tufvesson, Fredrik

Proceedings of the IEEE, 2021-07, Vol.109 (7), p.1166-1199 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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6
A 1.5 V 28 GHz Beam Steering SiGe PLL for an 81-86 GHz E-Band Transmitter
Material Type:
Artigo
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A 1.5 V 28 GHz Beam Steering SiGe PLL for an 81-86 GHz E-Band Transmitter

Tired, Tobias ; Wernehag, Johan ; Ahmad, Waqas ; ud Din, Imad ; Sandrup, Per ; Tormanen, Markus ; Sjoland, Henrik Sjoland

IEEE microwave and wireless components letters, 2016-10, Vol.26 (10), p.843-845 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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7
A 90 nm CMOS +11 dBm IIP3 4 mW Dual-Band LNA for Cellular Handsets
Material Type:
Artigo
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A 90 nm CMOS +11 dBm IIP3 4 mW Dual-Band LNA for Cellular Handsets

Fatin, Gholamreza Zare ; Koozehkanani, Ziaddin Daei ; Sjöland, Henrik

IEEE microwave and wireless components letters, 2010-09, Vol.20 (9), p.513-515 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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8
A 10-mW mm-Wave Phase-Locked Loop With Improved Lock Time in 28-nm FD-SOI CMOS
Material Type:
Artigo
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A 10-mW mm-Wave Phase-Locked Loop With Improved Lock Time in 28-nm FD-SOI CMOS

Abdulaziz, Mohammed ; Forsberg, Therese ; Tormanen, Markus ; Sjoland, Henrik

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2019-04, Vol.67 (4), p.1588-1600 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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9
A 28-nm FD-SOI 115-fs Jitter PLL-Based LO System for 24-30-GHz Sliding-IF 5G Transceivers
Material Type:
Artigo
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A 28-nm FD-SOI 115-fs Jitter PLL-Based LO System for 24-30-GHz Sliding-IF 5G Transceivers

Ek, Staffan ; Pahlsson, Tony ; Elgaard, Christian ; Carlsson, Anders ; Axholt, Andreas ; Stenman, Anna-Karin ; Sundstrom, Lars ; Sjoland, Henrik

IEEE journal of solid-state circuits, 2018-07, Vol.53 (7), p.1988-2000 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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10
An Injection-Locked Power Up-Converter in 65-nm CMOS for Cellular Applications
Material Type:
Artigo
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An Injection-Locked Power Up-Converter in 65-nm CMOS for Cellular Applications

Lindstrand, Jonas ; Tormanen, Markus ; Sjoland, Henrik

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2019-03, Vol.67 (3), p.1065-1077 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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