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1
Diode based on the 2d electron gas in an artificial, strongly disordered potential
Diode based on the 2d electron gas in an artificial, strongly disordered potential
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Diode based on the 2d electron gas in an artificial, strongly disordered potential

G M Gusev Y V Nastaushev; D I Lubyshev; Pierre Basmaji; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (17. 1994 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1994

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002904 ) e outros locais(Acessar)

2
Estudos em super-redes de 'GA''AS' / 'AL''AS' crescidas nas direcoes (100) e (311) a e b pela tecnica de fotoluminescencia
Estudos em super-redes de 'GA''AS' / 'AL''AS' crescidas nas direcoes (100) e (311) a e b pela tecnica de fotoluminescencia
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudos em super-redes de 'GA''AS' / 'AL''AS' crescidas nas direcoes (100) e (311) a e b pela tecnica de fotoluminescencia

Euclydes Marega Júnior D I Lubyshev; Pierre Basmaji; Simposio Estadual de Lasers e Aplicacoes (6. 1994 São Carlos)

Resumos São Carlos : Ifsc-USP, 1994

Sao Carlos Ifsc-Usp 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002793 ) e outros locais(Acessar)

3
Molecular-beam epitaxy of self-assembled 'IN''AS' quantum dots on non- (100) oriented 'GA''AS'
Molecular-beam epitaxy of self-assembled 'IN''AS' quantum dots on non- (100) oriented 'GA''AS'
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Molecular-beam epitaxy of self-assembled 'IN''AS' quantum dots on non- (100) oriented 'GA''AS'

P P González-Borrero Euclydes Marega Júnior; D I Lubyshev; E Petitprez; Pierre Basmaji; International Conference on Molecular Beam Epitaxy (9. 1996 Malibu)

Abstract Book 1996

Malibu 1996

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD004103 ) e outros locais(Acessar)

4
Influence of surface structure on segregation and alloy properties in (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures
Influence of surface structure on segregation and alloy properties in (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of surface structure on segregation and alloy properties in (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures

Francisco Eduardo Gontijo Guimarães P P González-Borrero; D I Lubyshev; Pierre Basmaji; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (7. 1995 Rio de Janeiro)

Abstracts 1995

Rio de Janeiro 1995

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5
Growth mode transition observation on temperature dependence of rheed oscillation
Growth mode transition observation on temperature dependence of rheed oscillation
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Growth mode transition observation on temperature dependence of rheed oscillation

D. I. Lubyshev P. P Gonzalez; O Pchelyakov; V Preobrashenskii; Pierre Basmaji; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (17. 1994 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1994

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002921 ) e outros locais(Acessar)

6
Determinacao da polaridade e preparacao quimica das superficies de 'GA''AS' (311) a e b antes do crescimento por mbe
Determinacao da polaridade e preparacao quimica das superficies de 'GA''AS' (311) a e b antes do crescimento por mbe
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Determinacao da polaridade e preparacao quimica das superficies de 'GA''AS' (311) a e b antes do crescimento por mbe

D I Lubyshev Pierre Basmaji; V V Preobrashenskii; Euclydes Marega Júnior; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (17. 1994 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica - SBF, 1994

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica - SBF 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002920 ) e outros locais(Acessar)

7
Effect of alloy disorder and structural defects on exciton properties in lattice-matched (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' quantum wells
Effect of alloy disorder and structural defects on exciton properties in lattice-matched (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' quantum wells
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Effect of alloy disorder and structural defects on exciton properties in lattice-matched (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' quantum wells

Francisco Eduardo Gontijo Guimarães D I Lubyshev; V A Chitta; Pierre Basmaji; International Conference on Superlattices Microstructures and Microdevices - ICSMM (7. 1994 Alberta)

International Conference on Superlattices Microstructures and Microdevices, 7 1994

Alberta 1994

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8
Vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311) a / b and (100) 'GA''AS' substrates
Vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311) a / b and (100) 'GA''AS' substrates
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311) a / b and (100) 'GA''AS' substrates

P P González-Borrero D I Lubyshev; Euclydes Marega Júnior; Pierre Basmaji; International Conference on Molecular Beam Epitaxy (9. 1996 Malibu)

Abstract Book 1996

Malibu 1996

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD004088 ) e outros locais(Acessar)

9
Influence of surface structure on segregation and alloy properties in (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures
Influence of surface structure on segregation and alloy properties in (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of surface structure on segregation and alloy properties in (100)- and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' heterostructures

Francisco Eduardo Gontijo Guimarães P P González-Borrero; D I Lubyshev; Pierre Basmaji; International Conference on Modulated Semiconductor Structures (7. 1995 Madrid)

Workbook Ii 1995

Madrid 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003634 ) e outros locais(Acessar)

10
Optical properties of vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311)a / b and (100) 'GA''AS' substrates
Optical properties of vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311)a / b and (100) 'GA''AS' substrates
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Optical properties of vertically aligned self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots layers on (311)a / b and (100) 'GA''AS' substrates

P P González-Borrero D I Lubyshev; Euclydes Marega Júnior; Pierre Basmaji; International Conference on Superlattices, Microructures and Microdevices (9. 1996 Liege)

1996 Abstract Workbook

Liege 1996

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Deste Autor:

  1. Lubyshev, D
  2. Basmaji, P
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  4. Gusev, G
  5. Rossi, J

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Science & Technology
  3. Physics
  4. Physical Sciences
  5. Technology

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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