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Measurement of electron energy deposition necessary to form an anode plasma in Ta, Ti, and C for coaxial bremsstrahlung diodes
Measurement of electron energy deposition necessary to form an anode plasma in Ta, Ti, and C for coaxial bremsstrahlung diodes
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Measurement of electron energy deposition necessary to form an anode plasma in Ta, Ti, and C for coaxial bremsstrahlung diodes

SANFORD, T. W. L ; HALBLEIB, J. A ; SPENCE, P. W ; PROULX, G. A ; POUKEY, J. W ; PREGENZER, A. L ; PATE, R. C ; HEATH, C. E ; MOCK, R ; MASTIN, G. A ; GHIGLIA, D. C ; ROEMER, T. J

Journal of applied physics, 1989-07, Vol.66 (1), p.10-22 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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2
Slow fracture model based on strained silicate structures
Slow fracture model based on strained silicate structures
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Slow fracture model based on strained silicate structures

MICHALSKE, T. A ; BUNKER, B. C

Journal of applied physics, 1984-11, Vol.56 (10), p.2686-2693 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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3
Strained-layer superlattices from lattice mismatched materials
Strained-layer superlattices from lattice mismatched materials
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Strained-layer superlattices from lattice mismatched materials

Osbourn, G. C.

Journal of applied physics, 1982-03, Vol.53 (3), p.1586-1589 [Periódico revisado por pares]

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4
Thin-film palladium and silver alloys and layers for metal-insulator-semiconductor sensors
Thin-film palladium and silver alloys and layers for metal-insulator-semiconductor sensors
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Thin-film palladium and silver alloys and layers for metal-insulator-semiconductor sensors

HUGHES, R. C ; SCHUBERT, W. K ; ZIPPERIAN, T. E ; RODRIGUEZ, J. L ; PLUT, T. A

Journal of applied physics, 1987-08, Vol.62 (3), p.1074-1083 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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5
Hole traps and trivalent silicon centers in metal/oxide/silicon devices
Hole traps and trivalent silicon centers in metal/oxide/silicon devices
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Hole traps and trivalent silicon centers in metal/oxide/silicon devices

LENAHAN, P. M ; DRESSENDORFER, P. V

Journal of applied physics, 1984-05, Vol.55 (10), p.3495-3499 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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6
Analytic model of applied-B ion diode impedance behavior
Analytic model of applied-B ion diode impedance behavior
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Analytic model of applied-B ion diode impedance behavior

MILLER, P. A ; MENDEL, C. W. JR

Journal of applied physics, 1987-01, Vol.61 (2), p.529-539 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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7
Acoustoelectric interaction of plate modes with solutions
Acoustoelectric interaction of plate modes with solutions
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Acoustoelectric interaction of plate modes with solutions

NIEMCZYK, T. M ; MARTIN, S. J ; FRYE, G. C ; RICCO, A. J

Journal of applied physics, 1988-11, Vol.64 (10), p.5002-5008 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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8
Electrical properties and conduction mechanisms of Ru-based thick-film (cermet) resistors
Electrical properties and conduction mechanisms of Ru-based thick-film (cermet) resistors
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Electrical properties and conduction mechanisms of Ru-based thick-film (cermet) resistors

Pike, G. E. ; Seager, C. H.

Journal of applied physics, 1977-12, Vol.48 (12), p.5152-5169 [Periódico revisado por pares]

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9
Kinetics and morphology of erbium silicide formation
Kinetics and morphology of erbium silicide formation
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Kinetics and morphology of erbium silicide formation

KNAPP, J. A ; PICRAUX, S. T ; WU, C. S ; LAU, S. S

Journal of applied physics, 1985-11, Vol.58 (10), p.3747-3757 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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10
Grain boundary recombination: Theory and experiment in silicon
Grain boundary recombination: Theory and experiment in silicon
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Grain boundary recombination: Theory and experiment in silicon

Seager, C. H.

Journal of applied physics, 1981-06, Vol.52 (6), p.3960-3968 [Periódico revisado por pares]

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