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1
Controlled Si doping of β-Ga2O3 by molecular beam epitaxy
Controlled Si doping of β-Ga2O3 by molecular beam epitaxy
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Controlled Si doping of β-Ga2O3 by molecular beam epitaxy

McCandless, J. P. ; Protasenko, V. ; Morell, B. W. ; Steinbrunner, E. ; Neal, A. T. ; Tanen, N. ; Cho, Y. ; Asel, T. J. ; Mou, S. ; Vogt, P. ; Xing, H. G. ; Jena, D.

Applied physics letters, 2022-08, Vol.121 (7) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Citações Citado por
2
Molecular beam epitaxy
Molecular beam epitaxy
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Molecular beam epitaxy

North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (24th 2006 Durhan, North Carolina) Joanna M Millunchick

Journal of vacuum science & technoloy. B v. 25, no. 3, 2007

New York American Institute of Physics 2006

Localização: IF - Instituto de Física    (J.Vac.Sci.Technol.B v.25 n.3 2007 )(Acessar)

3
Device-Quality $\beta$-Ga2O3 Epitaxial Films Fabricated by Ozone Molecular Beam Epitaxy
Device-Quality $\beta$-Ga2O3 Epitaxial Films Fabricated by Ozone Molecular Beam Epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Device-Quality $\beta$-Ga2O3 Epitaxial Films Fabricated by Ozone Molecular Beam Epitaxy

Sasaki, Kohei ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Víllora, Encarnación G ; Shimamura, Kiyoshi ; Yamakoshi, Shigenobu

Applied physics express, 2012-03, Vol.5 (3), p.035502-035502-3 [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

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Citações Citado por
4
Strain-induced structural transition in DyBa2Cu3O7−x films grown by atomic layer-by-layer molecular beam epitaxy
Strain-induced structural transition in DyBa2Cu3O7−x films grown by atomic layer-by-layer molecular beam epitaxy
Material Type:
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Strain-induced structural transition in DyBa2Cu3O7−x films grown by atomic layer-by-layer molecular beam epitaxy

Putzky, D. ; Radhakrishnan, P. ; Wang, Y. ; Wochner, P. ; Christiani, G. ; Minola, M. ; van Aken, P. A. ; Logvenov, G. ; Benckiser, E. ; Keimer, B.

Applied physics letters, 2020-08, Vol.117 (7) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Metal-oxide catalyzed epitaxy (MOCATAXY): the example of the O plasma-assisted molecular beam epitaxy of β-(AlxGa1−x)2O3/β-Ga2O3 heterostructures
Metal-oxide catalyzed epitaxy (MOCATAXY): the example of the O plasma-assisted molecular beam epitaxy of β-(AlxGa1−x)2O3/β-Ga2O3 heterostructures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Metal-oxide catalyzed epitaxy (MOCATAXY): the example of the O plasma-assisted molecular beam epitaxy of β-(AlxGa1−x)2O3/β-Ga2O3 heterostructures

Vogt, Patrick ; Mauze, Akhil ; Wu, Feng ; Bonef, Bastien ; Speck, James S.

Applied physics express, 2018-11, Vol.11 (11) [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

Texto completo disponível

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6
Molecular Beam Epitaxy: From Research to Mass Production
Molecular Beam Epitaxy: From Research to Mass Production
Material Type:
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Molecular Beam Epitaxy: From Research to Mass Production

Henini, Mohamed

San Diego: Elsevier Science & Technology 2012

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7
Si doping of β-Ga2O3 by disilane via hybrid plasma-assisted molecular beam epitaxy
Si doping of β-Ga2O3 by disilane via hybrid plasma-assisted molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Si doping of β-Ga2O3 by disilane via hybrid plasma-assisted molecular beam epitaxy

Wen, Zhuoqun ; Khan, Kamruzzaman ; Zhai, Xin ; Ahmadi, Elaheh

Applied physics letters, 2023-02, Vol.122 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
2.0–2.2 eV AlGaInP solar cells grown by molecular beam epitaxy
2.0–2.2 eV AlGaInP solar cells grown by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

2.0–2.2 eV AlGaInP solar cells grown by molecular beam epitaxy

Sun, Yukun ; Fan, Shizhao ; Faucher, Joseph ; Hool, Ryan D. ; Li, Brian D. ; Dhingra, Pankul ; Lee, Minjoo Larry

Solar energy materials and solar cells, 2021-01, Vol.219 (C), p.110774, Article 110774 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

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9
Offcut-related step-flow and growth rate enhancement during (100) β-Ga2O3 homoepitaxy by metal-exchange catalyzed molecular beam epitaxy (MEXCAT-MBE)
Offcut-related step-flow and growth rate enhancement during (100) β-Ga2O3 homoepitaxy by metal-exchange catalyzed molecular beam epitaxy (MEXCAT-MBE)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Offcut-related step-flow and growth rate enhancement during (100) β-Ga2O3 homoepitaxy by metal-exchange catalyzed molecular beam epitaxy (MEXCAT-MBE)

Mazzolini, Piero ; Falkenstein, Andreas ; Galazka, Zbigniew ; Martin, Manfred ; Bierwagen, Oliver

Applied physics letters, 2020-11, Vol.117 (22) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

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10
Antiferromagnetic order in MnBi2Te4 films grown on Si(1 1 1) by molecular beam epitaxy
Antiferromagnetic order in MnBi2Te4 films grown on Si(1 1 1) by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Antiferromagnetic order in MnBi2Te4 films grown on Si(1 1 1) by molecular beam epitaxy

Liu, N. ; Schreyeck, S. ; Fijalkowski, K.M. ; Kamp, M. ; Brunner, K. ; Gould, C. ; Molenkamp, L.W.

Journal of crystal growth, 2022-08, Vol.591, p.126677, Article 126677 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Deste Autor:

  1. Quivy, A
  2. Basmaji, P
  3. Lubyshev, D
  4. Marega Júnior, E
  5. Leite, J

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Physics
  3. Physical Sciences
  4. Physics, Applied
  5. Materials Science

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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