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A 4Kx8 Innovative Fuse OTP on 22-nm FD-SOI
A 4Kx8 Innovative Fuse OTP on 22-nm FD-SOI
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 4Kx8 Innovative Fuse OTP on 22-nm FD-SOI

Chung, Shine C. ; Fang, Wen-Kuang ; Chen, Fang-Hua

IEEE journal of the Electron Devices Society, 2019, Vol.7, p.837-845 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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2
Ultra-small and ultra-reliable innovative fuses scalable from 0.35um to 28nm
Ultra-small and ultra-reliable innovative fuses scalable from 0.35um to 28nm
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Ultra-small and ultra-reliable innovative fuses scalable from 0.35um to 28nm

Shine Chung ; Wen-Kuan Fang ; Yc Hsu ; Jy Hsiao ; Lupin Lin ; Wen-Hua Yu

2016 International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2016, p.148-151

IEEE

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3
I-fuse: A disruptive OTP technology for with excellent manufacturability
I-fuse: A disruptive OTP technology for with excellent manufacturability
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

I-fuse: A disruptive OTP technology for with excellent manufacturability

Shine Chung ; Wen-Kuan Fang

2015 Joint e-Manufacturing and Design Collaboration Symposium (eMDC) & 2015 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), 2015, p.1-4

Taiwan Semiconductor Industry Association

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4
保險詐欺與逆選擇防阻之研究
保險詐欺與逆選擇防阻之研究
Material Type:
Tese 		Adicionar ao Meu Espaço

保險詐欺與逆選擇防阻之研究

楊憲宗 ; Chung-Shine Yang

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5
Relationships between the Encounters of the Body and Transformations－The Creation Discourse of Chung-Shine Ding
Relationships between the Encounters of the Body and Transformations－The Creation Discourse of Chung-Shine Ding
Material Type:
Tese 		Adicionar ao Meu Espaço

Relationships between the Encounters of the Body and Transformations－The Creation Discourse of Chung-Shine Ding

丁忠献 ; Chung-shine Ding

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6
Non-Volatile Memory
Non-Volatile Memory
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Non-Volatile Memory

Casagrande, Giulio ; Chung, Shine

2008 IEEE International Solid-State Circuits Conference - Digest of Technical Papers, 2008, p.418-419

IEEE

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7
A 64x1 Fuse Memory with 0.4V/1μA Read and 0.9V Program Voltage on 22nm FD-SOI
A 64x1 Fuse Memory with 0.4V/1μA Read and 0.9V Program Voltage on 22nm FD-SOI
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 64x1 Fuse Memory with 0.4V/1μA Read and 0.9V Program Voltage on 22nm FD-SOI

Chung, Shine ; Fang, Wen-Kuan

2019 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2019, p.1-2

IEEE

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8
32Kb Innovative fuse (I-Fuse) array in 22nm FD-SOI with 0.9V/1.4mA program voltage/current and 0.744um2 cell
32Kb Innovative fuse (I-Fuse) array in 22nm FD-SOI with 0.9V/1.4mA program voltage/current and 0.744um2 cell
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

32Kb Innovative fuse (I-Fuse) array in 22nm FD-SOI with 0.9V/1.4mA program voltage/current and 0.744um2 cell

Chung, Shine ; Fang, Wen-Kuan ; Lin, Jay ; Yu, Wen-Hua ; Hsiao, J Y

2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, p.1-2

IEEE

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9
A 0.0487mm2 4Kx8 Metal-Gate Innovative Fuse Memory at 22nm FD-SOI with 1.2V+/-16% Program Voltage, 0.42V Vddmin, and Full Testability
A 0.0487mm2 4Kx8 Metal-Gate Innovative Fuse Memory at 22nm FD-SOI with 1.2V+/-16% Program Voltage, 0.42V Vddmin, and Full Testability
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.0487mm2 4Kx8 Metal-Gate Innovative Fuse Memory at 22nm FD-SOI with 1.2V+/-16% Program Voltage, 0.42V Vddmin, and Full Testability

Chung, Shine ; Lin, Jay ; Fang, Wen-Kuan ; Yu, Wen-Hua ; Wendt, Michael ; Prengel, Helmut ; Xu, Anmin ; Lee, Heng Kah

2018 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2018, p.1-2

IEEE

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10
Properties of zero-field resonant modes in josephson junctions
Properties of zero-field resonant modes in josephson junctions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Properties of zero-field resonant modes in josephson junctions

Gou, Yih-Shun ; Chung, Chien-Shine ; Chi Chow, Timothy

J. Low Temp. Phys.; (United States), 1980-12, Vol.41 (5-6), p.583-593 [Periódico revisado por pares]

United States

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