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Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas
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Role played by interstitial 3d transition - metal atoms in gaas

L M R Scolfaro A Fazzio

Hipolito, O; Marques, G E (*); Fazzio, A, Eds Singapore : World Scientific, 1988 Current Topics on Semiconductor Physics

Singapore World Scientific 1988

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2
Impurezas intersticiais de metal de transicao em 'GA''AS'
Impurezas intersticiais de metal de transicao em 'GA''AS'
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Impurezas intersticiais de metal de transicao em 'GA''AS'

L M R Scolfaro A Fazzio; Reuniao da Sbpc (38. 1986 Curitiba)

v.38, n.7 supl., p.348, 1986 Ciencia e Cultura

1986

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3
Estados eletrônicos de poços quânticos com dopagem modulada de 'GaN/AlGaN' na Fase Cúbica
Estados eletrônicos de poços quânticos com dopagem modulada de 'GaN/AlGaN' na Fase Cúbica
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estados eletrônicos de poços quânticos com dopagem modulada de 'GaN/AlGaN' na Fase Cúbica

M Marques L M R Scolfaro; Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (5. 1997 São Paulo)

Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 5 São Paulo : USP, 1997

São Paulo Ibraphel Gráfica e Editora 1997

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4
Estados eletronicos de pocos quanticos simulando heteroestruturas semicondutoras
Estados eletronicos de pocos quanticos simulando heteroestruturas semicondutoras
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estados eletronicos de pocos quanticos simulando heteroestruturas semicondutoras

M Marques L M R Scolfaro; Simposio de Iniciacao Cientifica da Universidade de São Paulo (4. 1996 São Paulo)

Sao Paulo : USP, 1996 [Resumos]

São Paulo USP 1996

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5
Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo
Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Níveis confinados nas bandas de condução e valência em poços quânticos de materiais III-V, com e sem a inclusão de campo magnético externo

M Marques L M R Scolfaro; Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (6. 1998 São Paulo)

Engenharias e exatas São Paulo: Usp, 1998

São Paulo USP 1998

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6
Niveis de energia de pocos quanticos tipo 'GA IND.1-X' 'AL IND.XAS' / 'GA'as' / 'ga ind.1-x' 'al ind.Xas'
Niveis de energia de pocos quanticos tipo 'GA IND.1-X' 'AL IND.XAS' / 'GA'as' / 'ga ind.1-x' 'al ind.Xas'
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Niveis de energia de pocos quanticos tipo 'GA IND.1-X' 'AL IND.XAS' / 'GA'as' / 'ga ind.1-x' 'al ind.Xas'

S C P Rodrigues L M R Scolfaro; Simposio de Iniciacao Cientifica (1993 São Paulo)

Programa e Resumos São Paulo : Ifusp, 1993

Sao Paulo Ifusp 1993

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7
Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de l'NI IND.X' 'GA IND.1-X'as' / 'ga''as'
Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de l'NI IND.X' 'GA IND.1-X'as' / 'ga''as'
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Niveis eletronicos em pocos quanticos tensionados de l'NI IND.X' 'GA IND.1-X'as' / 'ga''as'

S C P Rodrigues L M R Scolfaro; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (17. 1994 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1994

Sao Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1994

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8
Metais de transicao no intersticio de materiais iii-v
Metais de transicao no intersticio de materiais iii-v
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Metais de transicao no intersticio de materiais iii-v

L M R Scolfaro A Fazzio; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (9. 1986 Pocos de Caldas)

Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1986

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1986

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9
Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS' sitios tetraedricos e hexagonal
Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS' sitios tetraedricos e hexagonal
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Impurezas 3'D POT.N' intersticiais em 'GA''AS' sitios tetraedricos e hexagonal

L M R Scolfaro A Fazzio; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (11. 1988 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1988

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1988

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10
Defeitos nativos em 'GA''AS' estabilidade de carga e energias de excitação e ionização
Defeitos nativos em 'GA''AS' estabilidade de carga e energias de excitação e ionização
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Defeitos nativos em 'GA''AS' estabilidade de carga e energias de excitação e ionização

L. M. R. Scolfaro A Fazzio; Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada (12. 1989 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : SBF, 1989

São Paulo Sbf 1989

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Deste Autor:

  1. Scolfaro, L
  2. Leite, J
  3. Enderlein, R
  4. Sipahi, G
  5. Rodrigues, S

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Physics
  3. Science & Technology
  4. Physical Sciences
  5. Physics, Condensed Matter

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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