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Doping Rules and Doping Prototypes in A2BO4 Spinel Oxides
Doping Rules and Doping Prototypes in A2BO4 Spinel Oxides
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Doping Rules and Doping Prototypes in A2BO4 Spinel Oxides

Paudel, Tula R. ; Zakutayev, Andriy ; Lany, Stephan ; d'Avezac, Mayeul ; Zunger, Alex

Advanced functional materials, 2011-12, Vol.21 (23), p.4493-4501 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: WILEY-VCH Verlag

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2
Genetic-algorithm discovery of a direct-gap and optically allowed superstructure from indirect-gap Si and Ge semiconductors
Genetic-algorithm discovery of a direct-gap and optically allowed superstructure from indirect-gap Si and Ge semiconductors
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Genetic-algorithm discovery of a direct-gap and optically allowed superstructure from indirect-gap Si and Ge semiconductors

d'Avezac, Mayeul ; Luo, Jun-Wei ; Chanier, Thomas ; Zunger, Alex

Physical review letters, 2012-01, Vol.108 (2), p.027401-027401, Article 027401 [Periódico revisado por pares]

United States

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3
MUSE: An open-source agent-based integrated assessment modelling framework
MUSE: An open-source agent-based integrated assessment modelling framework
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MUSE: An open-source agent-based integrated assessment modelling framework

Giarola, Sara ; Sachs, Julia ; d’Avezac, Mayeul ; Kell, Alexander ; Hawkes, Adam

Energy strategy reviews, 2022-11, Vol.44, p.100964, Article 100964 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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4
Simple point-ion electrostatic model explains the cation distribution in spinel oxides
Simple point-ion electrostatic model explains the cation distribution in spinel oxides
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Simple point-ion electrostatic model explains the cation distribution in spinel oxides

Stevanović, Vladan ; d'Avezac, Mayeul ; Zunger, Alex

Physical review letters, 2010-08, Vol.105 (7), p.075501-075501, Article 075501 [Periódico revisado por pares]

United States

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5
Genomic Design of Strong Direct-Gap Optical Transition in Si/Ge Core/Multishell Nanowires
Genomic Design of Strong Direct-Gap Optical Transition in Si/Ge Core/Multishell Nanowires
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Genomic Design of Strong Direct-Gap Optical Transition in Si/Ge Core/Multishell Nanowires

Zhang, Lijun ; d’Avezac, Mayeul ; Luo, Jun-Wei ; Zunger, Alex

Nano letters, 2012-02, Vol.12 (2), p.984-991 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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6
Parallel kinetic Monte Carlo simulation framework incorporating accurate models of adsorbate lateral interactions
Parallel kinetic Monte Carlo simulation framework incorporating accurate models of adsorbate lateral interactions
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Parallel kinetic Monte Carlo simulation framework incorporating accurate models of adsorbate lateral interactions

Nielsen, Jens ; d'Avezac, Mayeul ; Hetherington, James ; Stamatakis, Michail

The Journal of chemical physics, 2013-12, Vol.139 (22), p.224706-224706 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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7
Li-Doped Cr2MnO4: A New p-Type Transparent Conducting Oxide by Computational Materials Design
Li-Doped Cr2MnO4: A New p-Type Transparent Conducting Oxide by Computational Materials Design
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Li-Doped Cr2MnO4: A New p-Type Transparent Conducting Oxide by Computational Materials Design

Peng, Haowei ; Zakutayev, Andriy ; Lany, Stephan ; Paudel, Tula R. ; d'Avezac, Mayeul ; Ndione, Paul F. ; Perkins, John D. ; Ginley, David S. ; Nagaraja, Arpun R. ; Perry, Nicola H. ; Mason, Thomas O. ; Zunger, Alex

Advanced functional materials, 2013-11, Vol.23 (42), p.5267-5276 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: WILEY-VCH Verlag

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Chemical Descriptors of Yttria-Stabilized Zirconia at Low Defect Concentration: An ab Initio Study
Chemical Descriptors of Yttria-Stabilized Zirconia at Low Defect Concentration: An ab Initio Study
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Chemical Descriptors of Yttria-Stabilized Zirconia at Low Defect Concentration: An ab Initio Study

Parkes, Michael A ; Refson, Keith ; d’Avezac, Mayeul ; Offer, Gregory J ; Brandon, Nigel P ; Harrison, Nicholas M

The journal of physical chemistry. A, Molecules, spectroscopy, kinetics, environment, & general theory, 2015-06, Vol.119 (24), p.6412-6420 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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9
Band-structure, optical properties, and defect physics of the photovoltaic semiconductor SnS
Band-structure, optical properties, and defect physics of the photovoltaic semiconductor SnS
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Band-structure, optical properties, and defect physics of the photovoltaic semiconductor SnS

Vidal, Julien ; Lany, Stephan ; d'Avezac, Mayeul ; Zunger, Alex ; Zakutayev, Andriy ; Francis, Jason ; Tate, Janet

Applied physics letters, 2012-01, Vol.100 (3), p.032104-032104-4 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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Density functional theory description of hole-trapping in SiO2 : A self-interaction-corrected approach
Density functional theory description of hole-trapping in SiO2 : A self-interaction-corrected approach
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Density functional theory description of hole-trapping in SiO2 : A self-interaction-corrected approach

D'AVEZAC, Mayeul ; CALANDRA, Matteo ; MAURI, Francesco

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2005-05, Vol.71 (20), p.205210.1-205210.5 [Periódico revisado por pares]

Ridge, NY: American Physical Society

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