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Generation of dislocations in annealed silicon wafers under applied stress
Generation of dislocations in annealed silicon wafers under applied stress
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Generation of dislocations in annealed silicon wafers under applied stress

Mezhennyi, M. V. ; Milvidskii, M. G. ; Reznik, V. Ya ; Falster, R. J.

Physica status solidi. C, 2005-04, Vol.2 (6), p.1968-1972 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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2
Effect of annealing on the electrical properties of nitrogen-doped silicon single crystals grown by crucibleless zone melting
Effect of annealing on the electrical properties of nitrogen-doped silicon single crystals grown by crucibleless zone melting
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Effect of annealing on the electrical properties of nitrogen-doped silicon single crystals grown by crucibleless zone melting

Voronkova, G. I. ; Batunina, A. V. ; Voronkov, V. V. ; Golovina, V. N. ; Gulyaeva, A. S. ; Tyurina, N. B. ; Mil’vidskiĭ, M. G.

Physics of the solid state, 2009-11, Vol.51 (11), p.2257-2263 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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Peculiarities of defect generation in Si +-implanted GaAs (2 1 1)
Peculiarities of defect generation in Si +-implanted GaAs (2 1 1)
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Peculiarities of defect generation in Si +-implanted GaAs (2 1 1)

Bublik, V.T. ; Evgeniev, S.B. ; Ivanov, S.P. ; Kalinin, A.A. ; Milvidskii, M.G. ; Nemirovskii, A.W.

Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 1999, Vol.147 (1), p.187-190 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
Evaluating intrinsic deformations in oxygen-containing precipitates
Evaluating intrinsic deformations in oxygen-containing precipitates
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Evaluating intrinsic deformations in oxygen-containing precipitates

Goldstein, R. V. ; Ustinov, K. B. ; Shushpannikov, P. S. ; Mezhennyi, M. V. ; Mil’vidskiĭ, M. G. ; Reznik, V. Ya

Technical physics letters, 2008-02, Vol.34 (2), p.106-108 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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5
Properties of Si donors and persistent photoconductivity in AlGaN
Properties of Si donors and persistent photoconductivity in AlGaN
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Properties of Si donors and persistent photoconductivity in AlGaN

Polyakov, A.Y. ; Smirnov, N.B. ; Govorkov, A.V. ; Mil'vidskii, M.G. ; Redwing, J.M. ; Shin, M. ; Skowronski, M. ; Greve, D.W. ; Wilson, R.G.

Solid-state electronics, 1998-04, Vol.42 (4), p.627-635 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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6
Anomalous effects in dopant distribution in Ge single crystals grown by the floating zone technique aboard spacecrafts
Anomalous effects in dopant distribution in Ge single crystals grown by the floating zone technique aboard spacecrafts
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Anomalous effects in dopant distribution in Ge single crystals grown by the floating zone technique aboard spacecrafts

Kartavykh, A. V. ; Kopeliovich, É. S. ; Milvidskii, M. G. ; Rakov, V. V.

Crystallography reports, 2000-01, Vol.45 (1), p.161-168 [Periódico revisado por pares]

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7
Effect of alloy composition on defect formation in GexSi1-x/Si heterostructures obtained by molecular beam epitaxy
Effect of alloy composition on defect formation in GexSi1-x/Si heterostructures obtained by molecular beam epitaxy
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Effect of alloy composition on defect formation in GexSi1-x/Si heterostructures obtained by molecular beam epitaxy

VDOVIN, V. I ; MIL'VIDSKII, M. G ; YUGOVA, T. G ; LYUTOVICH, K. L ; SAIDOV, S. M

Journal of crystal growth, 1994-08, Vol.141 (1-2), p.109-118 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier

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8
Morphological Transformation of Oxide Particles and Thresholds for Effective Gettering in Silicon
Morphological Transformation of Oxide Particles and Thresholds for Effective Gettering in Silicon
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Morphological Transformation of Oxide Particles and Thresholds for Effective Gettering in Silicon

Resnick, V.Y. ; Voronkov, Vladimir V. ; Falster, Robert J. ; Mil'vidskii, M.G.

Solid state phenomena, 2005-01, Vol.108-109, p.97-102 [Periódico revisado por pares]

Trans Tech Publications Ltd

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9
Antiphase boundaries in GaAs layers on Si and Ge
Antiphase boundaries in GaAs layers on Si and Ge
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Antiphase boundaries in GaAs layers on Si and Ge

Vdovin, V.I. ; Mil'vidskii, M.G. ; Yugova, T.G.

Journal of crystal growth, 1993-09, Vol.132 (3), p.477-482 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
Properties of tellurium-doped gallium antimonide single crystals grown from nonstoichiometric melt
Properties of tellurium-doped gallium antimonide single crystals grown from nonstoichiometric melt
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Properties of tellurium-doped gallium antimonide single crystals grown from nonstoichiometric melt

Kunitsyn, A. E. ; Chaldyshev, V. V. ; Mil’vidskaya, A. G. ; Mil’vidskii, M. G.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 1997-08, Vol.31 (8), p.806-808 [Periódico revisado por pares]

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