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1
Giant electric-field-induced reversible and permanent magnetization reorientation on magnetoelectric Ni/(011) [ Pb ( Mg 1 / 3 Nb 2 / 3 ) O 3 ] ( 1 − x ) - [ PbTiO 3 ] x heterostructure
Giant electric-field-induced reversible and permanent magnetization reorientation on magnetoelectric Ni/(011) [ Pb ( Mg 1 / 3 Nb 2 / 3 ) O 3 ] ( 1 − x ) - [ PbTiO 3 ] x heterostructure
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Giant electric-field-induced reversible and permanent magnetization reorientation on magnetoelectric Ni/(011) [ Pb ( Mg 1 / 3 Nb 2 / 3 ) O 3 ] ( 1 − x ) - [ PbTiO 3 ] x heterostructure

Wu, Tao ; Bur, Alexandre ; Zhao, Ping ; Mohanchandra, Kotekar P. ; Wong, Kin ; Wang, Kang L. ; Lynch, Christopher S. ; Carman, Gregory P.

Applied physics letters, 2011-01, Vol.98 (1), p.012504-012504-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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2
Photoconductivity in BiFeO3 thin films
Photoconductivity in BiFeO3 thin films
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Photoconductivity in BiFeO3 thin films

Basu, S. R. ; Martin, L. W. ; Chu, Y. H. ; Gajek, M. ; Ramesh, R. ; Rai, R. C. ; Xu, X. ; Musfeldt, J. L.

Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (9) [Periódico revisado por pares]

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3
Direct laser patterning of ruthenium below the optical diffraction limit
Direct laser patterning of ruthenium below the optical diffraction limit
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Direct laser patterning of ruthenium below the optical diffraction limit

Cruciani, Lorenzo ; Vreugdenhil, Marnix ; van Vliet, Stefan ; Abram, Ester ; van Oosten, Dries ; Bliem, Roland ; van Druten, Klaasjan ; Planken, Paul

2024-04

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4
Large strain and high energy storage density in orthorhombic perovskite (Pb0.97La0.02)(Zr1−x−ySnxTiy)O3 antiferroelectric thin films
Large strain and high energy storage density in orthorhombic perovskite (Pb0.97La0.02)(Zr1−x−ySnxTiy)O3 antiferroelectric thin films
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Large strain and high energy storage density in orthorhombic perovskite (Pb0.97La0.02)(Zr1−x−ySnxTiy)O3 antiferroelectric thin films

Sharifzadeh Mirshekarloo, Meysam ; Yao, Kui ; Sritharan, Thirumany

Applied physics letters, 2010-10, Vol.97 (14) [Periódico revisado por pares]

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5
Investigation of correlation between open-circuit voltage deficit and carrier recombination rates in Cu(In,Ga)(S,Se)2-based thin-film solar cells
Investigation of correlation between open-circuit voltage deficit and carrier recombination rates in Cu(In,Ga)(S,Se)2-based thin-film solar cells
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Investigation of correlation between open-circuit voltage deficit and carrier recombination rates in Cu(In,Ga)(S,Se)2-based thin-film solar cells

Chantana, Jakapan ; Kato, Takuya ; Sugimoto, Hiroki ; Minemoto, Takashi

Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (15) [Periódico revisado por pares]

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6
Gradient chemical order in the relaxor Pb(Mg1∕3Nb2∕3)O3
Gradient chemical order in the relaxor Pb(Mg1∕3Nb2∕3)O3
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Gradient chemical order in the relaxor Pb(Mg1∕3Nb2∕3)O3

Cabral, Matthew J. ; Zhang, Shujun ; Dickey, Elizabeth C. ; LeBeau, James M.

Applied physics letters, 2018-02, Vol.112 (8) [Periódico revisado por pares]

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7
High resolution magnetic microscopy based on semi-encapsulated graphene Hall sensors
High resolution magnetic microscopy based on semi-encapsulated graphene Hall sensors
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High resolution magnetic microscopy based on semi-encapsulated graphene Hall sensors

Li, Penglei ; Collomb, David ; Lim, Zhen Jieh ; Dale, Sara ; Shepley, Philippa ; Burnell, Gavin

Applied Physics Letters, 2022-07, Vol.121 (4), Article 043502 [Periódico revisado por pares]

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8
Comparison of the effects of Ar and H2 plasmas on the performance of homojunctioned amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors
Comparison of the effects of Ar and H2 plasmas on the performance of homojunctioned amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors
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Comparison of the effects of Ar and H2 plasmas on the performance of homojunctioned amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors

Du Ahn, Byung ; Shin, Hyun Soo ; Kim, Hyun Jae ; Park, Jin-Seong ; Jeong, Jae Kyeong

Applied physics letters, 2008-11, Vol.93 (20) [Periódico revisado por pares]

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9
Enhancement of giant magnetoresistance by L21 ordering in Co2Fe(Ge0.5Ga0.5) Heusler alloy current-perpendicular-to-plane pseudo spin valves
Enhancement of giant magnetoresistance by L21 ordering in Co2Fe(Ge0.5Ga0.5) Heusler alloy current-perpendicular-to-plane pseudo spin valves
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Enhancement of giant magnetoresistance by L21 ordering in Co2Fe(Ge0.5Ga0.5) Heusler alloy current-perpendicular-to-plane pseudo spin valves

Li, S. ; Takahashi, Y. K. ; Furubayashi, T. ; Hono, K.

Applied physics letters, 2013-07, Vol.103 (4) [Periódico revisado por pares]

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10
Erratum: “Establishment of a growth route of crystallized rutile GeO2 thin film (≧1 μm/h) and its structural properties” [Appl. Phys. Lett. 119, 062104 (2021)]
Erratum: “Establishment of a growth route of crystallized rutile GeO2 thin film (≧1 μm/h) and its structural properties” [Appl. Phys. Lett. 119, 062104 (2021)]
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Erratum: “Establishment of a growth route of crystallized rutile GeO2 thin film (≧1 μm/h) and its structural properties” [Appl. Phys. Lett. 119, 062104 (2021)]

Takane, Hitoshi ; Kaneko, Kentaro

Applied physics letters, 2022-02, Vol.120 (9) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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