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An Analytical Carrier Recombination Turn-off Transient Model for High-Voltage IGBTs
An Analytical Carrier Recombination Turn-off Transient Model for High-Voltage IGBTs
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An Analytical Carrier Recombination Turn-off Transient Model for High-Voltage IGBTs

Zhang, Zhiyuan ; He, Hengxin ; Li, Kejie ; Xiang, Nianwen ; Chen, Weijiang

IEEE transactions on power electronics, 2024-06, p.1-13 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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2
IGBT Junction Temperature Measurement via Peak Gate Current
IGBT Junction Temperature Measurement via Peak Gate Current
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IGBT Junction Temperature Measurement via Peak Gate Current

Baker, Nick ; Munk-Nielsen, Stig ; Iannuzzo, Francesco ; Liserre, Marco

IEEE transactions on power electronics, 2016-05, Vol.31 (5), p.3784-3793 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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A Novel Lumped-Charge Model for Insulated Gate Bipolar Transistor Based on Dynamic Charge Control
A Novel Lumped-Charge Model for Insulated Gate Bipolar Transistor Based on Dynamic Charge Control
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A Novel Lumped-Charge Model for Insulated Gate Bipolar Transistor Based on Dynamic Charge Control

Yang, Xin ; Sun, Yifei ; Ding, Yifei ; Liu, Guoyou

IEEE transactions on power electronics, 2023-08, Vol.38 (8), p.1-13 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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4
Investigation of the Dual Implant Reverse-Conducting SuperJunction Insulated-Gate Bipolar Transistor
Investigation of the Dual Implant Reverse-Conducting SuperJunction Insulated-Gate Bipolar Transistor
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Investigation of the Dual Implant Reverse-Conducting SuperJunction Insulated-Gate Bipolar Transistor

Findlay, E. M. ; Udrea, F. ; Antoniou, M.

IEEE electron device letters, 2019-06, Vol.40 (6), p.862-865 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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5
Active gate voltage control of turn-on di/dt and turn-off dv/dt in insulated gate transistors
Active gate voltage control of turn-on di/dt and turn-off dv/dt in insulated gate transistors
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Active gate voltage control of turn-on di/dt and turn-off dv/dt in insulated gate transistors

Idir, Nadir ; Bausiere, Robert ; Franchaud, Jean Jacques

IEEE transactions on power electronics, 2006-07, Vol.21 (4), p.849-855 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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6
Analysis of Blocking Capability Failure Mechanism in IGBT Module under High Salt Spray Environment
Analysis of Blocking Capability Failure Mechanism in IGBT Module under High Salt Spray Environment
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Analysis of Blocking Capability Failure Mechanism in IGBT Module under High Salt Spray Environment

Gao, Ting ; Ding, Lijian ; Wang, Jianing ; Chen, Weijiang ; Fan, Xing

IEEE transactions on dielectrics and electrical insulation, 2023-12, Vol.30 (6), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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7
Snapback-free reverse conducting IGBT with p-poly trench-collectors
Snapback-free reverse conducting IGBT with p-poly trench-collectors
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Snapback-free reverse conducting IGBT with p-poly trench-collectors

Huang, Mingmin ; Li, Jie ; Xie, Changjiang ; Lai, Li ; Gong, Min

Electronics letters, 2020-02, Vol.56 (3), p.153-155 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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8
The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
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The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor

Baliga, B. Jayant

San Diego: Elsevier Science 2015

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3-D Scaling Rules for High-Voltage Planar Clustered IGBTs
3-D Scaling Rules for High-Voltage Planar Clustered IGBTs
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3-D Scaling Rules for High-Voltage Planar Clustered IGBTs

Luo, Peng ; Madathil, Shankar Narayanan Ekkanath

IEEE transactions on electron devices, 2020-12, Vol.67 (12), p.5613-5620 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
Laboratory Demonstration of Closed-Loop 30 kW, 200 V/900 V IGBT-Based LCL DC/DC Converter
Laboratory Demonstration of Closed-Loop 30 kW, 200 V/900 V IGBT-Based LCL DC/DC Converter
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Laboratory Demonstration of Closed-Loop 30 kW, 200 V/900 V IGBT-Based LCL DC/DC Converter

Fazeli, Seyed Mahdi ; Jovcic, Dragan ; Hajian, Masood

IEEE transactions on power delivery, 2018-06, Vol.33 (3), p.1247-1256 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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