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Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs.
Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs.

Sousa, Bruna Ramos De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2021-08-06

Acesso online

2
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos.

Agopian, Paula Ghedini Der

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2008-11-27

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado.

Nicoletti, Talitha

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2009-09-11

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

4
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla.

Santos, Sara Dereste Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-02-05

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

5
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.

Nascimento, Vinicius Mesquita Do

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-02-17

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Characterization and Optimization of Inverted-T FinFET Under Nanoscale Dimensions
Characterization and Optimization of Inverted-T FinFET Under Nanoscale Dimensions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Characterization and Optimization of Inverted-T FinFET Under Nanoscale Dimensions

Yu, Eunseon ; Heo, Keun ; Cho, Seongjae

IEEE transactions on electron devices, 2018-08, Vol.65 (8), p.3521-3527 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
The Investigation of Reduced Variation Effect in FinFETs With Ultrathin 3-nm Ferroelectric Hf₀.₅Zr₀.₅O
The Investigation of Reduced Variation Effect in FinFETs With Ultrathin 3-nm Ferroelectric Hf₀.₅Zr₀.₅O
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The Investigation of Reduced Variation Effect in FinFETs With Ultrathin 3-nm Ferroelectric Hf₀.₅Zr₀.₅O

Zhang, Fan ; Zhang, Zhaohao ; Yao, Jiaxin ; Zhu, Xiaohui ; Peng, Yue ; Huo, Jiali ; Zhang, Qingzhu ; Xu, Gaobo ; Wu, Zhenhua ; Han, Genquan ; Liu, Yan ; Yin, Huaxiang

IEEE transactions on electron devices, 2024-05, Vol.71 (5), p.2876-2880 [Periódico revisado por pares]

IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Device Exploration of NanoSheet Transistors for Sub-7-nm Technology Node
Device Exploration of NanoSheet Transistors for Sub-7-nm Technology Node
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Device Exploration of NanoSheet Transistors for Sub-7-nm Technology Node

Doyoung Jang ; Yakimets, Dmitry ; Eneman, Geert ; Schuddinck, Pieter ; Bardon, Marie Garcia ; Raghavan, Praveen ; Spessot, Alessio ; Verkest, Diederik ; Mocuta, Anda

IEEE transactions on electron devices, 2017-06, Vol.64 (6), p.2707-2713 [Periódico revisado por pares]

IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Performance assessment of InGaAs–SOI–FinFET for enhancing switching capability using high-k dielectric
Performance assessment of InGaAs–SOI–FinFET for enhancing switching capability using high-k dielectric
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Performance assessment of InGaAs–SOI–FinFET for enhancing switching capability using high-k dielectric

Agrwal, Priyanka ; Kumar, Ajay

Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, 2024-08, Vol.8, p.100117, Article 100117 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications
First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications

Seo, Myungsoo ; Kang, Min-Ho ; Jeon, Seung-Bae ; Bae, Hagyoul ; Hur, Jae ; Jang, Byung Chul ; Yun, Seokjung ; Cho, Seongwoo ; Kim, Wu-Kang ; Kim, Myung-Su ; Hwang, Kyu-Man ; Hong, Seungbum ; Choi, Sung-Yool ; Choi, Yang-Kyu

IEEE electron device letters, 2018-09, Vol.39 (9), p.1445-1448 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Agopian, P
  3. Martino, M
  4. Der Agopian, P
  5. Doria, R

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
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  5. Engineering, Electrical & Electronic

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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