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1
Algoritmos para alocação de banda em redes de acesso GPON
Algoritmos para alocação de banda em redes de acesso GPON
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Algoritmos para alocação de banda em redes de acesso GPON

Santos, Alex Ferreira Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola de Engenharia de São Carlos 2010-02-26

Acesso online

2
IS-136 TDMA technology, economics, and services
IS-136 TDMA technology, economics, and services
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

IS-136 TDMA technology, economics, and services

Lawrence Harte Adrian Smith; Charles A Jacobs

Boston Artech House c1998

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (004.932 H251i )(Acessar)

3
Otimização de operações de entrada e saída visando reduzir o tempo de resposta de aplicações distribuídas que manipulam grandes volumes de dados
Otimização de operações de entrada e saída visando reduzir o tempo de resposta de aplicações distribuídas que manipulam grandes volumes de dados
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Otimização de operações de entrada e saída visando reduzir o tempo de resposta de aplicações distribuídas que manipulam grandes volumes de dados

Ishii, Renato Porfirio

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Ciências Matemáticas e de Computação 2010-09-01

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

4
O comportamento de viagens de acesso a aeroportos considerando a confiabilidade do tempo de viagem
O comportamento de viagens de acesso a aeroportos considerando a confiabilidade do tempo de viagem
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

O comportamento de viagens de acesso a aeroportos considerando a confiabilidade do tempo de viagem

Alves, Bianca Bianchi

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-05-20

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

5
Running Microsoft Office 97
Running Microsoft Office 97
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Running Microsoft Office 97

Michael Halvorson Michael J Young

Redmond, Wash. Microsoft Press c1998

Localização: ICMC - Inst. Ciên. Mat. Computação    (68M30.10 H197rm e.1 CD-ROM )(Acessar)

6
Microsoft Office 2000 professional at a glance
Microsoft Office 2000 professional at a glance
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Microsoft Office 2000 professional at a glance

Perspection, Inc

Redmond, Wash. Microsoft Press c1999

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (004.4 OFFICE M5831 )(Acessar)

7
A manifestação do interesse na controvérsia no julgamento de casos repetitivos: uma análise sob a perspectiva da adequada participação e da eficiência processual
A manifestação do interesse na controvérsia no julgamento de casos repetitivos: uma análise sob a perspectiva da adequada participação e da eficiência processual
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

A manifestação do interesse na controvérsia no julgamento de casos repetitivos: uma análise sob a perspectiva da adequada participação e da eficiência processual

Porangaba, Maria Madalena Gonçalves

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Faculdade de Direito 2021-10-21

Acesso online

8
Characterization of Half-Select Free Write Assist 9T SRAM Cell
Characterization of Half-Select Free Write Assist 9T SRAM Cell
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Characterization of Half-Select Free Write Assist 9T SRAM Cell

Pal, Soumitra ; Bose, Subhankar ; Ki, Wing-Hung ; Islam, Aminul

IEEE transactions on electron devices, 2019-11, Vol.66 (11), p.4745-4752 [Periódico revisado por pares]

IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Performance Evaluation of 7-nm Node Negative Capacitance FinFET-Based SRAM
Performance Evaluation of 7-nm Node Negative Capacitance FinFET-Based SRAM
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Performance Evaluation of 7-nm Node Negative Capacitance FinFET-Based SRAM

Dutta, Tapas ; Pahwa, Girish ; Trivedi, Amit Ranjan ; Sinha, Saurabh ; Agarwal, Amit ; Chauhan, Yogesh Singh

IEEE electron device letters, 2017-08, Vol.38 (8), p.1161-1164 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Design of a stable single sided 11T static random access memory cell with improved critical charge
Design of a stable single sided 11T static random access memory cell with improved critical charge
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Design of a stable single sided 11T static random access memory cell with improved critical charge

Sachdeva, Ashish

International journal of numerical modelling, 2023-07, Vol.36 (4), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Chichester, UK: John Wiley & Sons, Inc

Texto completo disponível

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Deste Autor:

  1. Santos, A
  2. César, A
  3. Harte, L
  4. Puoli, J
  5. Mello, R

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
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