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[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
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[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester

Kim, Jong-Hyun ; Woo, Jong-Un ; Yee, Yeon-Jeong ; Kim, In-Su ; Shin, Ho-Sung ; Hwang, Hyun-Gyu ; Kweon, Sang Hyo ; Choi, Hyun-Ju ; Nahm, Sahn

Applied surface science, 2021-01, Vol.537, p.147871, Article 147871 [Revista revisada por pares]

Elsevier B.V

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2
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
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0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA

MATSUBARA, Y ; SAKAI, T ; ISHIGAMI, T ; ANDO, K ; HORIUCHI, T

Thin solid films, 1995-12, Vol.270 (1-2), p.537-543 [Revista revisada por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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3
0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system
0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system
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0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system

BAKER, Dan ; ZHENG, Tammy ; TAKEMOTO, Cliff ; SETHI, Satyendra ; GABRIEL, Calvin ; SCOTT, Greg

SPIE proceedings series, 2000, p.294-304

Bellingham WA: SPIE

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4
0.13-μm optical lithography for random logic devices using 248-nm attenuated phase-shifting masks
0.13-μm optical lithography for random logic devices using 248-nm attenuated phase-shifting masks
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0.13-μm optical lithography for random logic devices using 248-nm attenuated phase-shifting masks

Chen, Yung-Tin ; Lin, Chia-Hui ; Lin, Hua Tai ; Hsieh, Hung-Chang ; Yu, Shinn Sheng ; Yen, Anthony

SPIE 2000

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5
0.279 nW fourth-order filter circuit for biological signal conditioning
0.279 nW fourth-order filter circuit for biological signal conditioning
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0.279 nW fourth-order filter circuit for biological signal conditioning

Thakur, Diksha ; Sharma, Kulbhushan

AIP advances, 2024-06, Vol.14 (6), p.065110-065110-13 [Revista revisada por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
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0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process

Shen, Xiang ; Wang, Yanxin ; Yang, Xiang ; Lu, Liqiang ; Huang, Liang

Journal of materials science. Materials in electronics, 2010-06, Vol.21 (6), p.630-634 [Revista revisada por pares]

Boston: Springer US

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7
0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength
0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength
Material Type:
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0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength

Nakao, Shuji ; Tsujita, Kouichirou ; Arimoto, Ichiriou ; Wakamiya, Wataru

SPIE 2000

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8
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
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0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer

Chen, Ja-Hao ; Huang, Chih-Wei

Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2018, Vol.24 (1), p.299-304 [Revista revisada por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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9
0.4% absolute efficiency gain by novel back contact
0.4% absolute efficiency gain by novel back contact
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0.4% absolute efficiency gain by novel back contact

Ehling, C. ; Schubert, M.B. ; Merz, R. ; Müller, J. ; Hlusiak, M. ; Rostan, P.J. ; Werner, J.H.

Solar energy materials and solar cells, 2009-06, Vol.93 (6), p.707-709 [Revista revisada por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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10
0.4% absolute efficiency increase for inline-diffused screen-printed multicrystalline silicon wafer solar cells by non-acidic deep emitter etch-back
0.4% absolute efficiency increase for inline-diffused screen-printed multicrystalline silicon wafer solar cells by non-acidic deep emitter etch-back
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0.4% absolute efficiency increase for inline-diffused screen-printed multicrystalline silicon wafer solar cells by non-acidic deep emitter etch-back

Basu, Prabir Kanti ; Law, Felix ; Vinodh, Shanmugam ; Kumar, Avishek ; Richter, Paul ; Bottari, Frank ; Hoex, Bram

Solar energy materials and solar cells, 2015-06, Vol.137, p.193-201 [Revista revisada por pares]

Elsevier B.V

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