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1
Physics of quantum electron devices
Physics of quantum electron devices
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Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Physics of quantum electron devices

Federico Capasso 1949-

Berlin New York Springer-Verlag c1990

Localização: IF - Instituto de Física    (537.5 C236p ) e outros locais(Acessar)

2
Condutividade de películas finas de PEDOT:PSS.
Condutividade de películas finas de PEDOT:PSS.
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Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Condutividade de películas finas de PEDOT:PSS.

Nardes, Alexandre Mantovani

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2007-12-18

Acesso online

3
High-Frequency Graphene Base Hot-Electron Transistor
High-Frequency Graphene Base Hot-Electron Transistor
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High-Frequency Graphene Base Hot-Electron Transistor

Liang, Bor-Wei ; Chang, Wen-Hao ; Lin, Hung-Yu ; Chen, Po-Chun ; Zhang, Yi-Tang ; Simbulan, Kristan Bryan ; Li, Kai-Shin ; Chen, Jyun-Hong ; Kuan, Chieh-Hsiung ; Lan, Yann-Wen

ACS nano, 2021-04, Vol.15 (4), p.6756-6764 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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4
Laser Shock Tuning Dynamic Interlayer Coupling in Graphene–Boron Nitride Moiré Superlattices
Laser Shock Tuning Dynamic Interlayer Coupling in Graphene–Boron Nitride Moiré Superlattices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Laser Shock Tuning Dynamic Interlayer Coupling in Graphene–Boron Nitride Moiré Superlattices

Kumar, Prashant ; Liu, Jing ; Motlag, Maithilee ; Tong, Lei ; Hu, Yaowu ; Huang, Xinyu ; Bandopadhyay, Arkamita ; Pati, Swapan K ; Ye, Lei ; Irudayaraj, Joseph ; Cheng, Gary J

Nano letters, 2019-01, Vol.19 (1), p.283-291 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Staggered band gap n+In0.5Ga0.5As/p+GaAs0.5Sb0.5 Esaki diode investigations for TFET device predictions
Staggered band gap n+In0.5Ga0.5As/p+GaAs0.5Sb0.5 Esaki diode investigations for TFET device predictions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Staggered band gap n+In0.5Ga0.5As/p+GaAs0.5Sb0.5 Esaki diode investigations for TFET device predictions

El Kazzi, S. ; Smets, Q. ; Ezzedini, M. ; Rooyackers, R. ; Verhulst, A. ; Douhard, B. ; Bender, H. ; Collaert, N. ; Merckling, C. ; Heyns, M.M ; Thean, A.

Journal of crystal growth, 2015-08, Vol.424, p.62-67 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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6
Contact Physics of Capacitive Interconnects
Contact Physics of Capacitive Interconnects
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Contact Physics of Capacitive Interconnects

Malucci, Robert D. ; Panella, Augusto P.

IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology (2011), 2013-03, Vol.3 (3), p.377-383 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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7
Controlled Hysteresis of Conductance in Molecular Tunneling Junctions
Controlled Hysteresis of Conductance in Molecular Tunneling Junctions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Controlled Hysteresis of Conductance in Molecular Tunneling Junctions

Park, Junwoo ; Kodaimati, Mohamad S. ; Belding, Lee ; Root, Samuel E. ; Schatz, George C. ; Whitesides, George M.

ACS nano, 2022-03, Vol.16 (3) [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society (ACS)

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8
Flexible Electronics : Fabrication and Ubiquitous Integration
Flexible Electronics : Fabrication and Ubiquitous Integration
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Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Flexible Electronics : Fabrication and Ubiquitous Integration

Martinez, Ramses V

MDPI 2019

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9
A combined XPS, XANES and STM/STS study of gold and silver deposition on metal sulphides
A combined XPS, XANES and STM/STS study of gold and silver deposition on metal sulphides
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A combined XPS, XANES and STM/STS study of gold and silver deposition on metal sulphides

Makhova, L. ; Mikhlin, Yu ; Romanchenko, A.

Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2007-05, Vol.575 (1), p.75-77 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics
All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics

Rashidi, Mohammad ; Vine, Wyatt ; Burgess, Jacob A J ; Taucer, Marco ; Achal, Roshan ; Pitters, Jason L ; Loth, Sebastian ; Wolkow, Robert A

Journal of visualized experiments, 2018-01 (131) [Periódico revisado por pares]

United States: MyJove Corporation

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Autor/Criador 

  1. Capasso, F  (1)
  2. Andrade, A  (1)
  3. Nardes, A  (1)
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Data de Publicação 

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