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Photoluminescence Study of As Doped p-type HgCdTe Absorber for Infrared Detectors Operating in the Range up to 8 µm
Photoluminescence Study of As Doped p-type HgCdTe Absorber for Infrared Detectors Operating in the Range up to 8 µm
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoluminescence Study of As Doped p-type HgCdTe Absorber for Infrared Detectors Operating in the Range up to 8 µm

Murawski, K. ; Majkowycz, K. ; Kopytko, M. ; Martyniuk, P.

Journal of electronic materials, 2023-11, Vol.52 (11), p.7038-7045 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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Citações Citado por
2
DLTS Study of Defects in HgCdTe Heterostructure Photodiode
DLTS Study of Defects in HgCdTe Heterostructure Photodiode
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

DLTS Study of Defects in HgCdTe Heterostructure Photodiode

Majkowycz, K. ; Murawski, K. ; Manyk, T. ; Rutkowski, J. ; Kopytko, M. ; Martyniuk, P.

Journal of electronic materials, 2023-11, Vol.52 (11), p.7074-7080 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Theoretical study of back-to-back avalanche photodiodes for mid- and longwave infrared applications
Theoretical study of back-to-back avalanche photodiodes for mid- and longwave infrared applications
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Theoretical study of back-to-back avalanche photodiodes for mid- and longwave infrared applications

Manyk, T. ; Majkowycz, K. ; Rutkowski, J. ; Martyniuk, P.

2022 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2022, p.13-14

IEEE

Sem texto completo

Citações Citado por
4
Temperature Dependence of the Defect States in LWIR (100) and (111)B HgCdTe Epilayers for IR HOT Detectors
Temperature Dependence of the Defect States in LWIR (100) and (111)B HgCdTe Epilayers for IR HOT Detectors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Temperature Dependence of the Defect States in LWIR (100) and (111)B HgCdTe Epilayers for IR HOT Detectors

Murawski, Krzysztof ; Majkowycz, K. ; Sobieski, J. ; Kopytko, M. ; Martyniuk, P.

Journal of electronic materials, 2024-07 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Trap levels analysis in MWIR InAs/InAsSb T2SL photodiode
Trap levels analysis in MWIR InAs/InAsSb T2SL photodiode
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Trap levels analysis in MWIR InAs/InAsSb T2SL photodiode

Murawski, K. ; Majkowycz, K. ; Manyk, T. ; Kopytko, M.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2024-02, Vol.300, p.117112, Article 117112 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Raman scattering of low energy HgCdTe phonons
Raman scattering of low energy HgCdTe phonons
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Raman scattering of low energy HgCdTe phonons

Grodecki, K. ; Sobieski, J. ; Majkowycz, K. ; Madejczyk, P. ; Jankiewicz, B. ; Liszewska, M. ; Martyniuk, P.

Infrared physics & technology, 2022-12, Vol.127, p.104318, Article 104318 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

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