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Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design
Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design
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Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design

Hájek, František ; Hospodková, Alice ; Hubík, Pavel ; Gedeonová, Zuzana ; Hubáček, Tomáš ; Pangrác, Jiří ; Kuldová, Karla

Semiconductor science and technology, 2021-07, Vol.36 (7), p.75016 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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2
Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE
Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE
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Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE

Nagamatsu, Kentaro ; Ando, Yuto ; Kono, Tsukasa ; Cheong, Heajeong ; Nitta, Shugo ; Honda, Yoshio ; Pristovsek, Markus ; Amano, Hiroshi

Journal of crystal growth, 2019-04, Vol.512, p.78-83 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene
MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene
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MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene

Gupta, Priti ; Rahman, A.A. ; Hatui, Nirupam ; Gokhale, M.R. ; Deshmukh, Mandar M. ; Bhattacharya, Arnab

Journal of crystal growth, 2013-06, Vol.372, p.105-108 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
Using electron channeling contrast imaging to inform and improve the growth of high-efficiency GaAs solar cells on nanopatterned GaAs substrates
Using electron channeling contrast imaging to inform and improve the growth of high-efficiency GaAs solar cells on nanopatterned GaAs substrates
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Using electron channeling contrast imaging to inform and improve the growth of high-efficiency GaAs solar cells on nanopatterned GaAs substrates

Mangum, John S. ; Theingi, San ; Neumann, Anica N. ; McMahon, William E. ; Warren, Emily L.

Journal of crystal growth, 2022-03, Vol.581, p.126490, Article 126490 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Phase degradation in BxGa1−xN films grown at low temperature by metalorganic vapor phase epitaxy
Phase degradation in BxGa1−xN films grown at low temperature by metalorganic vapor phase epitaxy
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Phase degradation in BxGa1−xN films grown at low temperature by metalorganic vapor phase epitaxy

Gunning, Brendan P. ; Moseley, Michael W. ; Koleske, Daniel D. ; Allerman, Andrew A. ; Lee, Stephen R.

Journal of crystal growth, 2017-04, Vol.464, p.190-196 [Periódico revisado por pares]

United States: Elsevier B.V

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6
Heteroepitaxy of Dirac semimetal Cd3As2 by metal-organic chemical-vapor deposition
Heteroepitaxy of Dirac semimetal Cd3As2 by metal-organic chemical-vapor deposition
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Heteroepitaxy of Dirac semimetal Cd3As2 by metal-organic chemical-vapor deposition

Tait, C.R. ; Lee, S.R. ; Deitz, J.I. ; Rodriguez, M.A. ; Alliman, D.L. ; Gunning, B.P. ; Peake, G.M. ; Sandoval, A. ; Valdez, N.R. ; Sharps, P.R.

Journal of crystal growth, 2021-10, Vol.572 (C), p.126230, Article 126230 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Role of H2 supply for Sn incorporations in MOCVD Ge1−xSnx epitaxial growth
Role of H2 supply for Sn incorporations in MOCVD Ge1−xSnx epitaxial growth
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Role of H2 supply for Sn incorporations in MOCVD Ge1−xSnx epitaxial growth

Suda, Kohei ; Sawamoto, Naomi ; Machida, Hideaki ; Ishikawa, Masato ; Sudoh, Hiroshi ; Ohshita, Yoshio ; Hirosawa, Ichiro ; Ogura, Atsushi

Journal of crystal growth, 2017-06, Vol.468, p.605-609 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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8
Growth of wurtzite GaP in InP/GaP core–shell nanowires by selective-area MOVPE
Growth of wurtzite GaP in InP/GaP core–shell nanowires by selective-area MOVPE
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Growth of wurtzite GaP in InP/GaP core–shell nanowires by selective-area MOVPE

Ishizaka, Fumiya ; Hiraya, Yoshihiro ; Tomioka, Katsuhiro ; Fukui, Takashi

Journal of crystal growth, 2015-02, Vol.411, p.71-75 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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9
Unintentional Ga incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of In-containing III-nitride semiconductors
Unintentional Ga incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of In-containing III-nitride semiconductors
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Unintentional Ga incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of In-containing III-nitride semiconductors

Hiroki, Masanobu ; Oda, Yasuhiro ; Watanabe, Noriyuki ; Maeda, Narihiko ; Yokoyama, Haruki ; Kumakura, Kazuhide ; Yamamoto, Hideki

Journal of crystal growth, 2013-11, Vol.382, p.36-40 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Single- and dual-variant atomic ordering in GaAsP compositionally graded buffers on GaP and Si substrates
Single- and dual-variant atomic ordering in GaAsP compositionally graded buffers on GaP and Si substrates
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Single- and dual-variant atomic ordering in GaAsP compositionally graded buffers on GaP and Si substrates

France, R.M. ; Feifel, M. ; Belz, J. ; Beyer, A. ; Volz, K. ; Ohlmann, J. ; Lackner, D. ; Dimroth, F.

Journal of crystal growth, 2019-01, Vol.506 (C), p.61-70 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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