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Properties of the as related shallow acceptor level in hetero epitaxial 'ZN''SE' grown by molecular beam epitaxy
Properties of the as related shallow acceptor level in hetero epitaxial 'ZN''SE' grown by molecular beam epitaxy
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Properties of the as related shallow acceptor level in hetero epitaxial 'ZN''SE' grown by molecular beam epitaxy

Y Zhang B J Skromme; M C Tamargo; S M Shibli

New York v.48, n.15, p.10885, 1993 Physical Review Letters B

New York 1993

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2
Properties of the as related shallow acceptor level in hetero epitaxial 'ZN''SE' grown by molecular beam epitaxy
Properties of the as related shallow acceptor level in hetero epitaxial 'ZN''SE' grown by molecular beam epitaxy
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Y Zhang B J Skromme; M C Tamargo; S M Shibli

New York v.48, n.15, p.10885, 1993 Physical Review Letters B

New York 1993

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Systematic investigation of shallow acceptor levels in 'ZN''SE'
Systematic investigation of shallow acceptor levels in 'ZN''SE'
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Systematic investigation of shallow acceptor levels in 'ZN''SE'

Y Zhang W Liu; B J Skromme; H Cheng; S M Shibli; M C Tamargo

Amsterdam v.138, p.310-7, 1994 Journal of Crystal Growth

Amsterdam 1994

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4
Systematic investigation of shallow acceptor levels in 'ZN''SE'
Systematic investigation of shallow acceptor levels in 'ZN''SE'
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Systematic investigation of shallow acceptor levels in 'ZN''SE'

Y Zhang W Liu; B J Skromme; H Cheng; S M Shibli; M C Tamargo

Amsterdam v.138, p.310-7, 1994 Journal of Crystal Growth

Amsterdam 1994

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5
Teaching Series and Parallel Connections
Teaching Series and Parallel Connections
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Teaching Series and Parallel Connections

Skromme, B. J. ; Wong, M. L. ; Redshaw, C. J. ; O'Donnell, M. A.

IEEE transactions on education, 2022-08, Vol.65 (3), p.461-470 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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6
Surface recombination and sulfide passivation of GaN
Surface recombination and sulfide passivation of GaN
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Surface recombination and sulfide passivation of GaN

Martinez, G. L. ; Curiel, M. R. ; Skromme, B. J. ; Molnar, R. J.

Journal of electronic materials, 2000-03, Vol.29 (3), p.325-331 [Periódico revisado por pares]

Warrendale: Springer Nature B.V

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7
Design and optimization of junction termination extension (JTE) for 4H–SiC high voltage Schottky diodes
Design and optimization of junction termination extension (JTE) for 4H–SiC high voltage Schottky diodes
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Design and optimization of junction termination extension (JTE) for 4H–SiC high voltage Schottky diodes

Mahajan, Atul ; Skromme, B.J.

Solid-state electronics, 2005-06, Vol.49 (6), p.945-955 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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8
Correlation between morphological defects, electron beam-induced current imaging, and the electrical properties of 4H-SiC Schottky diodes
Correlation between morphological defects, electron beam-induced current imaging, and the electrical properties of 4H-SiC Schottky diodes
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Correlation between morphological defects, electron beam-induced current imaging, and the electrical properties of 4H-SiC Schottky diodes

Wang, Y. ; Ali, G. N. ; Mikhov, M. K. ; Vaidyanathan, V. ; Skromme, B. J. ; Raghothamachar, B. ; Dudley, M.

Journal of applied physics, 2005-01, Vol.97 (1), p.013540-013540-10 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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9
Band-edge exciton states in AlN single crystals and epitaxial layers
Band-edge exciton states in AlN single crystals and epitaxial layers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Band-edge exciton states in AlN single crystals and epitaxial layers

Chen, L. ; Skromme, B. J. ; Dalmau, R. F. ; Schlesser, R. ; Sitar, Z. ; Chen, C. ; Sun, W. ; Yang, J. ; Khan, M. A. ; Nakarmi, M. L. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H.-X.

Applied physics letters, 2004-11, Vol.85 (19), p.4334-4336 [Periódico revisado por pares]

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10
Reduction of Low-Temperature Nonlinearities in Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMTs Due to Si-Related DX Centers
Reduction of Low-Temperature Nonlinearities in Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMTs Due to Si-Related DX Centers
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Reduction of Low-Temperature Nonlinearities in Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMTs Due to Si-Related DX Centers

Skromme, B.J. ; Sasikumar, A. ; Green, B.M. ; Hartin, O.L. ; Weitzel, C.E. ; Miller, M.G.

IEEE transactions on electron devices, 2010-04, Vol.57 (4), p.749-754 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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