skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
The value-added content of trade
The value-added content of trade
Material Type:
Outros 		Adicionar ao Meu Espaço

The value-added content of trade

Antônio Delfim Netto 1928-

S.l. s.n. 200-

Localização: FEA - Fac. Econ. Adm. Contab. e Atuária  ACERVO DELFIM NETTO  (C6.14.10 )(Acessar)

2
Assessment of Polarity in GaN Self-Assembled Nanowires by Electrical Force Microscopy
Assessment of Polarity in GaN Self-Assembled Nanowires by Electrical Force Microscopy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Assessment of Polarity in GaN Self-Assembled Nanowires by Electrical Force Microscopy

Minj, A ; Cros, A ; Garro, N ; Colchero, J ; Auzelle, T ; Daudin, B

Nano letters, 2015-10, Vol.15 (10), p.6770-6776 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
From nucleation to growth of catalyst-free GaN nanowires on thin AlN buffer layer
From nucleation to growth of catalyst-free GaN nanowires on thin AlN buffer layer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

From nucleation to growth of catalyst-free GaN nanowires on thin AlN buffer layer

Songmuang, R. ; Landré, O. ; Daudin, B.

Applied physics letters, 2007-12, Vol.91 (25), p.251902-251902-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Quantum Dot-Like Behavior of Compositional Fluctuations in AlGaN Nanowires
Quantum Dot-Like Behavior of Compositional Fluctuations in AlGaN Nanowires
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Quantum Dot-Like Behavior of Compositional Fluctuations in AlGaN Nanowires

Belloeil, M ; Gayral, B ; Daudin, B

Nano letters, 2016-02, Vol.16 (2), p.960-966 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Nucleation mechanism of GaN nanowires grown on (111) Si by molecular beam epitaxy
Nucleation mechanism of GaN nanowires grown on (111) Si by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Nucleation mechanism of GaN nanowires grown on (111) Si by molecular beam epitaxy

Landré, O ; Bougerol, C ; Renevier, H ; Daudin, B

Nanotechnology, 2009-10, Vol.20 (41), p.415602-415602 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Nanoscale x-ray investigation of composition fluctuations in AlGaN nanowires
Nanoscale x-ray investigation of composition fluctuations in AlGaN nanowires
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Nanoscale x-ray investigation of composition fluctuations in AlGaN nanowires

Belloeil, M ; Proietti, M G ; Renevier, H ; Daudin, B

Nanotechnology, 2020-09, Vol.31 (37), p.375709-375709 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Growth mechanism and properties of InGaN insertions in GaN nanowires
Growth mechanism and properties of InGaN insertions in GaN nanowires
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Growth mechanism and properties of InGaN insertions in GaN nanowires

Tourbot, G ; Bougerol, C ; Glas, F ; Zagonel, L F ; Mahfoud, Z ; Meuret, S ; Gilet, P ; Kociak, M ; Gayral, B ; Daudin, B

Nanotechnology, 2012-04, Vol.23 (13), p.135703-1-6 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Structural and optical properties of InGaN/GaN nanowire heterostructures grown by PA-MBE
Structural and optical properties of InGaN/GaN nanowire heterostructures grown by PA-MBE
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Structural and optical properties of InGaN/GaN nanowire heterostructures grown by PA-MBE

Tourbot, G ; Bougerol, C ; Grenier, A ; Den Hertog, M ; Sam-Giao, D ; Cooper, D ; Gilet, P ; Gayral, B ; Daudin, B

Nanotechnology, 2011-02, Vol.22 (7), p.075601-075601 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Growth, structural and optical properties of AlGaN nanowires in the whole composition range
Growth, structural and optical properties of AlGaN nanowires in the whole composition range
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Growth, structural and optical properties of AlGaN nanowires in the whole composition range

Pierret, A ; Bougerol, C ; Murcia-Mascaros, S ; Cros, A ; Renevier, H ; Gayral, B ; Daudin, B

Nanotechnology, 2013-03, Vol.24 (11), p.115704-115704 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Identification of III–N nanowire growth kinetics via a marker technique
Identification of III–N nanowire growth kinetics via a marker technique
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Identification of III–N nanowire growth kinetics via a marker technique

Songmuang, R ; Ben, T ; Daudin, B ; González, D ; Monroy, E

Nanotechnology, 2010-07, Vol.21 (29), p.295605-295605 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (401)
  2. Anais de Congresso  (13)
  3. Book Chapters  (9)
  4. Outros  (1)
  5. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1985  (15)
  2. 1985Até1993  (42)
  3. 1994Até2002  (95)
  4. 2003Até2012  (193)
  5. Após 2012  (73)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (400)
  2. Japonês  (75)
  3. Francês  (14)
  4. Italiano  (1)
  5. Polonês  (1)
  6. Coreano  (1)
  7. Mais opções open sub menu

Novas Pesquisas Sugeridas

Ignorar minha busca e procurar por tudo

Deste Autor:

  1. Delfim Netto, A

Neste Assunto:

  1. Physics
  2. Science & Technology
  3. Physical Sciences
  4. Physics, Applied
  5. Technology

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.