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0.4 mJ quasi-continu pumped picosecond Nd:GdVO4 laser with selectable pulse duration
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0.4 mJ quasi-continu pumped picosecond Nd:GdVO4 laser with selectable pulse duration

KUBECEK, V ; JELINEK, M ; CECH, M ; HIRSL, P ; DIELS, J.-C

Laser physics letters, 2010, Vol.7 (2), p.130-134 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Wiley

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2
0.67 μm Room-temperature operation of GaInAsP/AlGaAs lasers on GaAs prepared by LPE
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0.67 μm Room-temperature operation of GaInAsP/AlGaAs lasers on GaAs prepared by LPE

KISHINO, K ; KOIZUMI, Y ; YOKOCHI, A ; KINOSHITA, S ; TAKO, T

Japanese journal of applied physics, 1984, Vol.23 (9), p.L740-L742 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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3
0.8 mJ quasi-continuously pumped sub-nanosecond highly doped Nd:YAG oscillator-amplifier laser system in bounce geometry
0.8 mJ quasi-continuously pumped sub-nanosecond highly doped Nd:YAG oscillator-amplifier laser system in bounce geometry
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0.8 mJ quasi-continuously pumped sub-nanosecond highly doped Nd:YAG oscillator-amplifier laser system in bounce geometry

JELINEK, M ; KUBECEK, V ; CECH, M ; HIRSL, P

Laser physics letters, 2011-03, Vol.8 (3), p.205-208 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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4
0.85-μm vertical-cavity surface-emitting laser array grown on GaAs and AlGaAs substrates by metal organic chemical vapor deposition
0.85-μm vertical-cavity surface-emitting laser array grown on GaAs and AlGaAs substrates by metal organic chemical vapor deposition
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0.85-μm vertical-cavity surface-emitting laser array grown on GaAs and AlGaAs substrates by metal organic chemical vapor deposition

OHISO, Y ; KOHAMA, Y ; KUROKAWA, T

Japanese journal of applied physics, 1995-11, Vol.34 (11), p.6073-6078 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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5
0.8 nm single wall carbon nanotubes for wideband ultrafast pulse generation
0.8 nm single wall carbon nanotubes for wideband ultrafast pulse generation
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0.8 nm single wall carbon nanotubes for wideband ultrafast pulse generation

Kang, Z ; Xu, Y ; Jia, Z X ; Qin, G S ; Qin, W P

Laser physics, 2016-04, Vol.26 (4), p.45102 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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6
1.083 μm laser operation in Nd,Mg:LiTaO3 crystal
1.083 μm laser operation in Nd,Mg:LiTaO3 crystal
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1.083 μm laser operation in Nd,Mg:LiTaO3 crystal

HU, P. C ; HANG, Y ; ZHU, Y. Y ; LI, R ; GONG, J ; YIN, J. G ; ZHAO, C. C ; HE, X. M ; YU, T ; ZHANG, L. H ; CHEN, W. B

Laser physics letters, 2011-10, Vol.8 (10), p.710-714 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Wiley

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7
1.29-W radially polarized and bonded Nd:YAG crystal laser
1.29-W radially polarized and bonded Nd:YAG crystal laser
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1.29-W radially polarized and bonded Nd:YAG crystal laser

Xia, K.G. ; Ueda, K. ; Li, J.L.

Laser physics letters, 2011-05, Vol.8 (5), p.354-357 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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8
1.3-ns pulse, compact passively Q-switched microchip green laser by Nd:YAG/Cr4+:YAG composite crystal
1.3-ns pulse, compact passively Q-switched microchip green laser by Nd:YAG/Cr4+:YAG composite crystal
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1.3-ns pulse, compact passively Q-switched microchip green laser by Nd:YAG/Cr4+:YAG composite crystal

Yang, X. -Q. ; Wang, H. -X. ; Yang, J. -F. ; Zhang, B. -T. ; Huang, H. -T.

Laser physics, 2011-04, Vol.21 (4), p.690-694 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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9
1.3 μm gain coupled DFB laser with InGaAlAs MQW grown on absorptive InGaAsP corrugation
1.3 μm gain coupled DFB laser with InGaAlAs MQW grown on absorptive InGaAsP corrugation
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1.3 μm gain coupled DFB laser with InGaAlAs MQW grown on absorptive InGaAsP corrugation

FENG, W ; PAN, J. Q ; WANG, L ; LIAO, Z. Y ; CHENG, Y. B ; CHEN, D. B ; ZHAO, L. J ; ZHU, H. L ; WANG, W

Semiconductor science and technology, 2007-08, Vol.22 (8), p.859-862 [Periódico revisado por pares]

Bristol: Institute of Physics

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10
1.3 μm InAs/GaAs quantum-dot lasers grown on planar on-axis Si (001) substrates with high slope-efficiency and low differential resistance
1.3 μm InAs/GaAs quantum-dot lasers grown on planar on-axis Si (001) substrates with high slope-efficiency and low differential resistance
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1.3 μm InAs/GaAs quantum-dot lasers grown on planar on-axis Si (001) substrates with high slope-efficiency and low differential resistance

Lin, Feng ; Wang, Jun ; Zhai, Hao ; Liu, Shuaicheng ; Ge, Qing ; Chen, Yanan ; Liu, Chuanjiang ; Mao, Kaize ; Liu, Hao ; Bai, Yiming ; Wang, Qi ; Huang, Yongqing ; Ren, Xiaomin

Laser physics letters, 2024-05, Vol.21 (5), p.55002 [Periódico revisado por pares]

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