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Low interface trapped charge density in MBE in situ grown Si3N4 cubic GaN MIS structures
Low interface trapped charge density in MBE in situ grown Si3N4 cubic GaN MIS structures
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Low interface trapped charge density in MBE in situ grown Si3N4 cubic GaN MIS structures

Zado, A ; Gerlach, J ; As, D J

Semiconductor science and technology, 2012-03, Vol.27 (3) [Periódico revisado por pares]

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Dielectric function of cubic InN from the mid-infrared to the visible spectral range
Dielectric function of cubic InN from the mid-infrared to the visible spectral range
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Dielectric function of cubic InN from the mid-infrared to the visible spectral range

Schley, P ; Goldhahn, R ; Napierala, C ; Gobsch, G ; Schörmann, J ; As, D J ; Lischka, K ; Feneberg, M ; Thonke, K

Semiconductor science and technology, 2008-05, Vol.23 (5), p.055001 [Periódico revisado por pares]

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3
Carbon - an alternative acceptor for cubic GaN
Carbon - an alternative acceptor for cubic GaN
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Carbon - an alternative acceptor for cubic GaN

As, D J ; Köhler, U

Journal of physics. Condensed matter, 2001-10, Vol.13 (40), p.8923-8929 [Periódico revisado por pares]

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Estimation of roughness measurement bias originating from background subtraction
Estimation of roughness measurement bias originating from background subtraction
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Estimation of roughness measurement bias originating from background subtraction

Ne as, D ; Klapetek, P ; Valtr, M

Measurement science & technology, 2020-09, Vol.31 (9), p.94010 [Periódico revisado por pares]

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5
Study of user influence in routine SPM data processing
Study of user influence in routine SPM data processing
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Study of user influence in routine SPM data processing

Ne as, D ; Klapetek, P

Measurement science & technology, 2017-03, Vol.28 (3), p.34014 [Periódico revisado por pares]

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Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate
Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate
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Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate

Pacheco-Salazar, D G ; Leite, J R ; Cerdeira, F ; Meneses, E A ; Li, S F ; As, D J ; Lischka, K

Semiconductor science and technology, 2006-07, Vol.21 (7), p.846-851 [Periódico revisado por pares]

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Algorithms for using silicon steps for scanning probe microscope evaluation
Algorithms for using silicon steps for scanning probe microscope evaluation
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Algorithms for using silicon steps for scanning probe microscope evaluation

Garnæs, J ; Ne as, D ; Nielsen, L ; H Madsen, M ; Torras-Rosell, A ; Zeng, G ; Klapetek, P ; Yacoot, A

Metrologia, 2020-12, Vol.57 (6), p.64002 [Periódico revisado por pares]

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Monitoring the mass loss of the Greenland ice sheet
Monitoring the mass loss of the Greenland ice sheet
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Monitoring the mass loss of the Greenland ice sheet

Ahlstrøm, Andreas Peter ; van As, D ; Citterio, M ; Gravesen, P ; Forsberg, R ; Christensen, E L ; Kristensen, S S ; Petersen, D ; Andersen, S B ; Stenseng, L ; Fausto, R S ; Hanson, S

IOP conference series. Earth and environmental science, 2009-01, Vol.6 (1), p.012003-1 [Periódico revisado por pares]

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9
Independent analysis of mechanical data from atomic force microscopy
Independent analysis of mechanical data from atomic force microscopy
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Independent analysis of mechanical data from atomic force microscopy

Klapetek, P ; Ne as, D

Measurement science & technology, 2014-04, Vol.25 (4), p.44009-9 [Periódico revisado por pares]

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Determination of local thickness values of non-uniform thin films by imaging spectroscopic reflectometer with enhanced spatial resolution
Determination of local thickness values of non-uniform thin films by imaging spectroscopic reflectometer with enhanced spatial resolution
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Determination of local thickness values of non-uniform thin films by imaging spectroscopic reflectometer with enhanced spatial resolution

Vodák, J ; Ne as, D ; Ohlídal, M ; Ohlídal, I

Measurement science & technology, 2017-02, Vol.28 (2), p.25205 [Periódico revisado por pares]

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