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1
Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D).
Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D).
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D).

Santos, Sara Dereste Dos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-02-10

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas.
Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Efeito da radiação em transistores 3D em baixas temperaturas.

Caparroz, Luís Felipe Vicentis

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-02-20

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.
Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) construídos em nanofio.

Sivieri, Victor De Bodt

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-02-26

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

4
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas.
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas.

Bordallo, Caio Cesar Mendes

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-11-24

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

5
Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW).
Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW).
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW).

Itocazu, Vitor Tatsuo

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2018-04-26

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Estudo de transistores avançados de canal tensionado.
Estudo de transistores avançados de canal tensionado.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores avançados de canal tensionado.

Bühler, Rudolf Theoderich

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-10-17

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Agopian, P
  3. Der Agopian, P
  4. Sivieri, V
  5. Santos, S

Neste Assunto:

  1. Analog Parameters
  2. Transistores
  3. Parâmetros Analógicos
  4. Silício
  5. Soi

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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