skip to main content
Idioma:
Primo Advanced Search
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search prefilters
Busca Simples
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
GaP-nucleation on exact Si (0 0 1) substrates for III/V device integration
GaP-nucleation on exact Si (0 0 1) substrates for III/V device integration
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GaP-nucleation on exact Si (0 0 1) substrates for III/V device integration

Volz, Kerstin ; Beyer, Andreas ; Witte, Wiebke ; Ohlmann, Jens ; Németh, Igor ; Kunert, Bernardette ; Stolz, Wolfgang

Journal of crystal growth, 2011-01, Vol.315 (1), p.37-47 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Room‐temperature laser operation of a (Ga,In)As/Ga(As,Bi)/(Ga,In)As W‐type laser diode
Room‐temperature laser operation of a (Ga,In)As/Ga(As,Bi)/(Ga,In)As W‐type laser diode
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Room‐temperature laser operation of a (Ga,In)As/Ga(As,Bi)/(Ga,In)As W‐type laser diode

Hepp, Thilo ; Lehr, Jannik ; Günkel, Robin ; Maßmeyer, Oliver ; Glowatzki, Johannes ; Ruiz Perez, Antje ; Reinhard, Stefan ; Stolz, Wolfgang ; Volz, Kerstin

Electronics letters, 2022-01, Vol.58 (2), p.70-72 [Periódico revisado por pares]

Wiley

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Optical gain in GaAsBi/GaAs quantum well diode lasers
Optical gain in GaAsBi/GaAs quantum well diode lasers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Optical gain in GaAsBi/GaAs quantum well diode lasers

Marko, Igor P ; Broderick, Christopher A ; Jin, Shirong ; Ludewig, Peter ; Stolz, Wolfgang ; Volz, Kerstin ; Rorison, Judy M ; O'Reilly, Eoin P ; Sweeney, Stephen J

Scientific reports, 2016-07, Vol.6 (1), p.28863-28863, Article 28863 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Detection of nanometer-sized strain fields in (GaIn)(NAs) alloys by specific dark field transmission electron microscopic imaging
Detection of nanometer-sized strain fields in (GaIn)(NAs) alloys by specific dark field transmission electron microscopic imaging
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Detection of nanometer-sized strain fields in (GaIn)(NAs) alloys by specific dark field transmission electron microscopic imaging

Volz, Kerstin ; Torunski, Torsten ; Stolz, Wolfgang

Journal of applied physics, 2005-01, Vol.97 (1), p.014306-014306-4 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Pyramidal Structure Formation at the Interface between III/V Semiconductors and Silicon
Pyramidal Structure Formation at the Interface between III/V Semiconductors and Silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Pyramidal Structure Formation at the Interface between III/V Semiconductors and Silicon

Beyer, Andreas ; Stegmüller, Andreas ; Oelerich, Jan O ; Jandieri, Kakhaber ; Werner, Katharina ; Mette, Gerson ; Stolz, Wolfgang ; Baranovskii, Sergei D ; Tonner, Ralf ; Volz, Kerstin

Chemistry of materials, 2016-05, Vol.28 (10), p.3265-3275 [Periódico revisado por pares]

American Chemical Society

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Sub-picosecond acoustic pulses at buried GaP/Si interfaces
Sub-picosecond acoustic pulses at buried GaP/Si interfaces
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Sub-picosecond acoustic pulses at buried GaP/Si interfaces

Ishioka, Kunie ; Rustagi, Avinash ; Beyer, Andreas ; Stolz, Wolfgang ; Volz, Kerstin ; Höfer, Ulrich ; Petek, Hrvoje ; Stanton, Christopher J.

Applied physics letters, 2017-08, Vol.111 (6) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Influence of crystal polarity on crystal defects in GaP grown on exact Si (001)
Influence of crystal polarity on crystal defects in GaP grown on exact Si (001)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of crystal polarity on crystal defects in GaP grown on exact Si (001)

Beyer, Andreas ; Németh, Igor ; Liebich, Sven ; Ohlmann, Jens ; Stolz, Wolfgang ; Volz, Kerstin

Journal of applied physics, 2011-04, Vol.109 (8), p.083529-083529-6 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
GaAs1−xBix/GaNyAs1−y type-II quantum wells: novel strain-balanced heterostructures for GaAs-based near- and mid-infrared photonics
GaAs1−xBix/GaNyAs1−y type-II quantum wells: novel strain-balanced heterostructures for GaAs-based near- and mid-infrared photonics
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GaAs1−xBix/GaNyAs1−y type-II quantum wells: novel strain-balanced heterostructures for GaAs-based near- and mid-infrared photonics

Broderick, Christopher A. ; Jin, Shirong ; Marko, Igor P. ; Hild, Konstanze ; Ludewig, Peter ; Bushell, Zoe L. ; Stolz, Wolfgang ; Rorison, Judy M. ; O’Reilly, Eoin P. ; Volz, Kerstin ; Sweeney, Stephen J.

Scientific reports, 2017-04, Vol.7 (1), p.46371-46371, Article 46371 [Periódico revisado por pares]

London: Nature Publishing Group

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
High-Power Optically Pumped Semiconductor Laser at 1040 nm
High-Power Optically Pumped Semiconductor Laser at 1040 nm
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High-Power Optically Pumped Semiconductor Laser at 1040 nm

Tsuei-Lian Wang ; Kaneda, Yushi ; Yarborough, J M ; Hader, Jorg ; Moloney, Jerome V ; Chernikov, Alexej ; Chatterjee, Sangam ; Koch, Stephan W ; Kunert, Bernardette ; Stolz, Wolfgang

IEEE photonics technology letters, 2010-05, Vol.22 (9), p.661-663

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
The Impact of Band Bending on the Thermal Behaviour of Gain in Type-II GaAs-based "W"-lasers
The Impact of Band Bending on the Thermal Behaviour of Gain in Type-II GaAs-based "W"-lasers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The Impact of Band Bending on the Thermal Behaviour of Gain in Type-II GaAs-based "W"-lasers

Duffy, Dominic A. ; Marko, Igor P. ; Fuchs, Christian ; Stolz, Wolfgang ; Sweeney, Stephen J.

IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2024-07, p.1-10 [Periódico revisado por pares]

IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Revistas revisadas por pares (2.070)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (2.537)
  2. Book Chapters  (201)
  3. magazinearticle  (98)
  4. Resenhas  (94)
  5. Verbetes  (60)
  6. Anais de Congresso  (46)
  7. Newsletter Articles  (23)
  8. Livros  (15)
  9. Reports  (14)
  10. Artigos de Jornal  (2)
  11. Conjunto de Dados  (1)
  12. Dissertações  (1)
  13. Web Resources  (1)
  14. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1960  (67)
  2. 1960Até1975  (131)
  3. 1976Até1991  (254)
  4. 1992Até2008  (697)
  5. Após 2008  (1.968)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (2.070)
  2. Alemão  (1.361)
  3. Japonês  (106)
  4. Espanhol  (22)
  5. Português  (17)
  6. Francês  (14)
  7. Esloveno  (4)
  8. Italiano  (3)
  9. Holandês  (3)
  10. Norueguês  (2)
  11. Tcheco  (2)
  12. Eslovaco  (1)
  13. Latim  (1)
  14. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.