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Low‐Temperature Growth of High‐Quality Ag2HgS2 Crystals for Setup of Weak‐Light UV–Visible–NIR Photodetectors
Low‐Temperature Growth of High‐Quality Ag2HgS2 Crystals for Setup of Weak‐Light UV–Visible–NIR Photodetectors
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Low‐Temperature Growth of High‐Quality Ag2HgS2 Crystals for Setup of Weak‐Light UV–Visible–NIR Photodetectors

Wang, Hongrui ; Yu, Yongqiang ; You, Su ; Meng, Jie ; Muska, Mairman ; Li, Qunxiang ; Yang, Qing

Advanced optical materials, 2021-05, Vol.9 (10), p.n/a

Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc

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2
Synthesis and enhanced photocatalytic performance of Ni2+-doped Bi4O7 nanorods with broad-spectrum photoresponse
Synthesis and enhanced photocatalytic performance of Ni2+-doped Bi4O7 nanorods with broad-spectrum photoresponse
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Synthesis and enhanced photocatalytic performance of Ni2+-doped Bi4O7 nanorods with broad-spectrum photoresponse

Tian, Yanan ; Li, Jun ; Zheng, Han ; Guan, Xinxin ; Zhang, Xiaoli ; Zheng, Xiucheng

Separation and purification technology, 2022-11, Vol.300, p.121898, Article 121898 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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3
Silver-Copper Oxide Heteronanostructures for the Plasmonic-Enhanced Photocatalytic Oxidation of N-Hexane in the Visible-NIR Range
Silver-Copper Oxide Heteronanostructures for the Plasmonic-Enhanced Photocatalytic Oxidation of N-Hexane in the Visible-NIR Range
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Silver-Copper Oxide Heteronanostructures for the Plasmonic-Enhanced Photocatalytic Oxidation of N-Hexane in the Visible-NIR Range

Suarez, Hugo ; Ramirez, Adrian ; Bueno-Alejo, Carlos J ; Hueso, Jose L

Materials, 2019-11, Vol.12 (23), p.3858 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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4
Transition behaviors in biased asymmetric quantum dot-in-double-well photodetector
Transition behaviors in biased asymmetric quantum dot-in-double-well photodetector
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Transition behaviors in biased asymmetric quantum dot-in-double-well photodetector

Shin, H.W. ; Choe, J.-W. ; Lee, S.J. ; Noh, S.K. ; Kim, J.O. ; Lee, K.-S.

Current applied physics, 2014-05, Vol.14 (5), p.721-724 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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5
Advanced Photocatalytic Materials
Advanced Photocatalytic Materials
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Advanced Photocatalytic Materials

Likodimos, Vlassios

Basel, Switzerland: MDPI - Multidisciplinary Digital Publishing Institute 2021

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6
Role of n-type AlGaN layer in photoresponse mechanism for separate absorption and multiplication (SAM) GaN/AlGaN avalanche photodiode
Role of n-type AlGaN layer in photoresponse mechanism for separate absorption and multiplication (SAM) GaN/AlGaN avalanche photodiode
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Role of n-type AlGaN layer in photoresponse mechanism for separate absorption and multiplication (SAM) GaN/AlGaN avalanche photodiode

Wang, Xiaodong ; Chen, Xiaoyao ; Hou, Liwei ; Wang, Bingbing ; Xie, Wei ; Pan, Ming

Optical and quantum electronics, 2015-06, Vol.47 (6), p.1357-1365 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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7
Сurrent-voltage characteristics and photoelectric properties of por-Si/Si-p/Si-n diodes with different porous layer thickness
Сurrent-voltage characteristics and photoelectric properties of por-Si/Si-p/Si-n diodes with different porous layer thickness
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Сurrent-voltage characteristics and photoelectric properties of por-Si/Si-p/Si-n diodes with different porous layer thickness

Yan Dmitriy ; Galkin Nikolay ; Galkin Konstantin ; Chernev Igor

St. Petersburg Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, 2022, Vol.15 (3.1) [Periódico revisado por pares]

Peter the Great St.Petersburg Polytechnic University

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8
Study on spectral responsivity characteristics for InP/In0.53Ga0.47As/InP p-i-n photodiodes
Study on spectral responsivity characteristics for InP/In0.53Ga0.47As/InP p-i-n photodiodes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Study on spectral responsivity characteristics for InP/In0.53Ga0.47As/InP p-i-n photodiodes

Wang, Xiaodong ; Hou, Liwei ; Xie, Wei ; Wang, Bingbing ; Chen, Xiaoyao ; Pan, Ming

Optical and quantum electronics, 2015-07, Vol.47 (7), p.1889-1900 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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9
Photoelectric conversion characteristics of ZnO/SiC/Si heterojunctions
Photoelectric conversion characteristics of ZnO/SiC/Si heterojunctions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoelectric conversion characteristics of ZnO/SiC/Si heterojunctions

邬小鹏 陈小庆 孙利杰 毛顺 傅竹西

Journal of semiconductors, 2010-10, Vol.31 (10), p.10-13 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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10
Normal-Incidence p-Type Si/SiGe Mid-Infrared Detector with Background-Limited Performance up to 85 K
Normal-Incidence p-Type Si/SiGe Mid-Infrared Detector with Background-Limited Performance up to 85 K
Material Type:
Capítulo de Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Normal-Incidence p-Type Si/SiGe Mid-Infrared Detector with Background-Limited Performance up to 85 K

Kruck, Peter ; Helm, Manfred ; Bauer, Günther ; Nützel, Joachim F. ; Abstreiter, Gerhard Su, Yan-Kuin ; Li, Sheng S.

Intersubband Transitions in Quantum Wells: Physics and Devices, p.122-126

Boston, MA: Springer US

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