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SiC and GaN devices – wide bandgap is not all the same
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SiC and GaN devices – wide bandgap is not all the same

Kaminski, Nando ; Hilt, Oliver

IET circuits, devices & systems, 2014-05, Vol.8 (3), p.227-236 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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2
Stable highly conductive ZnO via reduction of Zn vacancies
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Stable highly conductive ZnO via reduction of Zn vacancies

Look, D. C. ; Droubay, T. C. ; Chambers, S. A.

Applied physics letters, 2012-09, Vol.101 (10) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics (AIP)

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3
Enablers for Overcurrent Capability of Silicon-Carbide-Based Power Converters: An Overview
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Enablers for Overcurrent Capability of Silicon-Carbide-Based Power Converters: An Overview

Bhadoria, Shubhangi ; Dijkhuizen, Frans ; Raj, Rishabh ; Wang, Xiongfei ; Xu, Qianwen ; Matioli, Elison ; Kostov, Konstantin ; Nee, Hans-Peter

IEEE transactions on power electronics, 2023-03, Vol.38 (3), p.3569-3589 [Periódico revisado por pares]

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4
Globularity‐Selected Large Molecules for a New Generation of Multication Perovskites
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Globularity‐Selected Large Molecules for a New Generation of Multication Perovskites

Gholipour, Somayeh ; Ali, Abdollah Morteza ; Correa‐Baena, Juan‐Pablo ; Turren‐Cruz, Silver‐Hamill ; Tajabadi, Fariba ; Tress, Wolfgang ; Taghavinia, Nima ; Grätzel, Michael ; Abate, Antonio ; De Angelis, Filippo ; Gaggioli, Carlo Alberto ; Mosconi, Edoardo ; Hagfeldt, Anders ; Saliba, Michael

Advanced materials (Weinheim), 2017-10, Vol.29 (38), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Germany: Wiley Subscription Services, Inc

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5
Sorption‐oxidation mechanism for the removal of arsenic (III) using Cu‐doped ZnO in an alkaline medium
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Sorption‐oxidation mechanism for the removal of arsenic (III) using Cu‐doped ZnO in an alkaline medium

Gyrdasova, Оlga I. ; Pasechnik, Liliya A. ; Krasil'nikov, Vladimir N. ; Gavrilova, Tatyana P. ; Yatsyk, Ivan V. ; Kuznetsova, Yulia V. ; Kalinkin, Mikhail O. ; Kuznetsov, Mikhail V.

Water environment research, 2023-12, Vol.95 (12), p.e10956-n/a [Periódico revisado por pares]

United States: Blackwell Publishing Ltd

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6
Time‐resolved spectroscopy of luminescence in a wide gap Si‐doped β‐Ga2O3
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Time‐resolved spectroscopy of luminescence in a wide gap Si‐doped β‐Ga2O3

Oda, Hisaya ; Kimura, Nana ; Yasukawa, Dai ; Wakai, Hirofumi ; Yamanaka, Akio

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2017-03, Vol.214 (3), p.n/a [Periódico revisado por pares]

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7
Ceramic Additive Manufacturing Potential for Power Electronics Packaging
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Ceramic Additive Manufacturing Potential for Power Electronics Packaging

Akbari, Saeed ; Kostov, Konstantin ; Brinkfeldt, Klas ; Adolfsson, Erik ; Lim, Jang-Kwon ; Andersson, Dag ; Bakowski, Mietek ; Wang, Qin ; Salter, Michael

IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology (2011), 2022-11, Vol.12 (11), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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8
Thermal stability of single crystalline alpha gallium oxide films on sapphire substrates
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Thermal stability of single crystalline alpha gallium oxide films on sapphire substrates

Lee, Sam-Dong ; Akaiwa, Kazuaki ; Fujita, Shizuo

Physica status solidi. C, 2013-11, Vol.10 (11), p.1592-1595 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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9
inducting into the future
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inducting into the future

Electronics letters, 2016-06, Vol.52 (13), p.1088-1088 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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10
Polymer Schottky contact on O-polar ZnO with silane coupling agent as surface protective layer
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Polymer Schottky contact on O-polar ZnO with silane coupling agent as surface protective layer

Gunji, R. Y. ; Nakano, M. ; Tsukazaki, A. ; Ohtomo, A. ; Fukumura, T. ; Kawasaki, M.

Applied physics letters, 2008-07, Vol.93 (1) [Periódico revisado por pares]

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