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Effect of a niobium-doped PZT interfacial layer thickness on the properties of epitaxial PMN-PT thin films
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Effect of a niobium-doped PZT interfacial layer thickness on the properties of epitaxial PMN-PT thin films

Boota, M. ; Houwman, E. P. ; Lanzara, G. ; Rijnders, G.

Journal of applied physics, 2023-04, Vol.133 (14) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Optimized fabrication of high-quality La0.67Sr0.33MnO3 thin films considering all essential characteristics
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Optimized fabrication of high-quality La0.67Sr0.33MnO3 thin films considering all essential characteristics

Boschker, H ; Huijben, M ; Vailionis, A ; Verbeeck, J ; van Aert, S ; Luysberg, M ; Bals, S ; van Tendeloo, G ; Houwman, E P ; Koster, G ; Blank, D H A ; Rijnders, G

Journal of physics. D, Applied physics, 2011-05, Vol.44 (20), p.205001 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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3
Interfacial dielectric layer as an origin of polarization fatigue in ferroelectric capacitors
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Artigo
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Interfacial dielectric layer as an origin of polarization fatigue in ferroelectric capacitors

Do, M T ; Gauquelin, N ; Nguyen, M D ; Wang, J ; Verbeeck, J ; Blom, F ; Koster, G ; Houwman, E P ; Rijnders, G

Scientific reports, 2020-04, Vol.10 (1), p.7310-7310, Article 7310 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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4
The significance of the piezoelectric coefficient d31,eff determined from cantilever structures
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Artigo
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The significance of the piezoelectric coefficient d31,eff determined from cantilever structures

Dekkers, M ; Boschker, H ; van Zalk, M ; Nguyen, M ; Nazeer, H ; Houwman, E ; Rijnders, G

Journal of micromechanics and microengineering, 2013-02, Vol.23 (2) [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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5
Enhanced piezoelectric properties of (110)-oriented PbZr1−xTixO3 epitaxial thin films on silicon substrates at shifted morphotropic phase boundary
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Enhanced piezoelectric properties of (110)-oriented PbZr1−xTixO3 epitaxial thin films on silicon substrates at shifted morphotropic phase boundary

Houwman, E P ; Steenwelle, R ; van Schaijk R ; Rijnders, G

Applied physics letters, 2014-03, Vol.104 (9) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
Epitaxial Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (67/33) thin films with large tunable self-bias field controlled by a PbZr1−xTixO3 interfacial layer
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Epitaxial Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (67/33) thin films with large tunable self-bias field controlled by a PbZr1−xTixO3 interfacial layer

Boota, M. ; Houwman, E. P. ; Dekkers, M. ; Nguyen, M. ; Rijnders, G.

Applied physics letters, 2014-05, Vol.104 (18) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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7
Preventing the Reconstruction of the Polar Discontinuity at Oxide Heterointerfaces
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Preventing the Reconstruction of the Polar Discontinuity at Oxide Heterointerfaces

Boschker, H. ; Verbeeck, J. ; Egoavil, R. ; Bals, S. ; van Tendeloo, G. ; Huijben, M. ; Houwman, E. P. ; Koster, G. ; Blank, D. H. A. ; Rijnders, G.

Advanced functional materials, 2012-06, Vol.22 (11), p.2235-2240 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: WILEY-VCH Verlag

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8
Process dependence of the piezoelectric response of membrane actuators based on Pb(Zr0.45Ti0.55)O3 thin films
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Process dependence of the piezoelectric response of membrane actuators based on Pb(Zr0.45Ti0.55)O3 thin films

Nguyen, C.T.Q. ; Nguyen, M.D. ; Dekkers, M. ; Houwman, E. ; Vu, H.N. ; Rijnders, G.

Thin solid films, 2014-04, Vol.556, p.509-514 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
Interface degradation and field screening mechanism behind bipolar-cycling fatigue in ferroelectric capacitors
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Interface degradation and field screening mechanism behind bipolar-cycling fatigue in ferroelectric capacitors

Do, M. T. ; Gauquelin, N. ; Nguyen, M. D. ; Blom, F. ; Verbeeck, J. ; Koster, G. ; Houwman, E. P. ; Rijnders, G.

APL materials, 2021-02, Vol.9 (2), p.021113-021113-7 [Periódico revisado por pares]

AIP Publishing LLC

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10
Magnetization reversal mechanism in La0.67Sr0.33MnO3 thin films on NdGaO3 substrates
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Magnetization reversal mechanism in La0.67Sr0.33MnO3 thin films on NdGaO3 substrates

Mathews, M. ; Houwman, E. P. ; Boschker, H. ; Rijnders, G. ; Blank, D. H. A.

Journal of applied physics, 2010-01, Vol.107 (1) [Periódico revisado por pares]

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