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(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD
(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD
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(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD

Bai, J. ; Wang, T. ; Li, H.D. ; Jiang, N. ; Sakai, S.

Journal of crystal growth, 2001-09, Vol.231 (1), p.41-47 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM

Dulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.

Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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3
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn

Feuerbacher, M ; Caillard, D

Acta materialia, 2004-03, Vol.52 (5), p.1297-1304 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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4
0.0012 mm2, 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
0.0012 mm2, 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.0012 mm2, 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate

Chen, Yong ; Mak, Pui-In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-05, Vol.49 (11), p.692-694 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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5
0.013 mm2, kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency
0.013 mm2, kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.013 mm2, kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency

Chen, Yong ; Mak, Pui-In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-10, Vol.49 (21), p.1340-1342 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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6
0.04 &#956;m domain expansion readout for the MAMMOS
0.04 &#956;m domain expansion readout for the MAMMOS
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.04 μm domain expansion readout for the MAMMOS

AWANO, H ; SEKINE, M ; TANI, M ; KASAJIMA, N ; OHTA, N ; MITANI, K ; TAKAGI, N ; SUMI, S

SPIE proceedings series, 1999, p.66-68

Bellingham WA: SPIE

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7
0.05 &#956;m (3&#963;) overlay accuracy through-the-lens alignment in an excimer laser lithography system: MicroProcess
0.05 &#956;m (3&#963;) overlay accuracy through-the-lens alignment in an excimer laser lithography system: MicroProcess
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.05 μm (3σ) overlay accuracy through-the-lens alignment in an excimer laser lithography system: MicroProcess

HIGASHIKI, T ; TOJO, T ; TAKAHASHI, Y ; TABATA, M ; NISHIZAKA, T ; KUWABARA, O ; UCHIDA, N ; YOSHINO, H ; SAITO, S

Japanese journal of applied physics, 1992, Vol.31 (12B), p.4161-4166 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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Citações Citado por
8
0.05-&#956;m-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
0.05-&#956;m-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects

ENOKI, T ; TOMIZAWA, M ; UMEDA, Y ; ISHII, Y

Japanese Journal of Applied Physics, 1994, Vol.33 (1B), p.798-803 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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Citações Citado por
9
0.07 mm2, 2 mW, 75 MHz-IF, fourth-order BPF using source-follower-based resonator in 90 nm CMOS
0.07 mm2, 2 mW, 75 MHz-IF, fourth-order BPF using source-follower-based resonator in 90 nm CMOS
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.07 mm2, 2 mW, 75 MHz-IF, fourth-order BPF using source-follower-based resonator in 90 nm CMOS

CHEN, Y ; MAK, P.-I ; ZHANG, L ; WANG, Y

Electronics letters, 2012, Vol.48 (10), p.552-554 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: Institution of Engineering and Technology

Sem texto completo

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10
A 0.013 mm2, 5 &#956;W, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply
A 0.013 mm2, 5 &#956;W, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.013 mm2, 5 μW, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply

MULLER, Rikky ; GAMBINI, Simone ; RABAEY, Jan M

IEEE journal of solid-state circuits, 2012, Vol.47 (1), p.232-243 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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