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1	Material Type: Artigo		Comphy — A compact-physics framework for unified modeling of BTI Rzepa, G. ; Franco, J. ; O’Sullivan, B. ; Subirats, A. ; Simicic, M. ; Hellings, G. ; Weckx, P. ; Jech, M. ; Knobloch, T. ; Waltl, M. ; Roussel, P.J. ; Linten, D. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. Microelectronics and reliability, 2018-06, Vol.85, p.49-65 [Periódico revisado por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo		A Physics-Based Model of Vertical TFET-Part I: Modeling of Electric Potential Cheng, Qi ; Khandelwal, Sourabh ; Zeng, Yuping IEEE transactions on electron devices, 2022-07, Vol.69 (7), p.3966-3973 [Periódico revisado por pares] New York: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo		Time dependent dielectric breakdown physics – Models revisited McPherson, J.W. Microelectronics and reliability, 2012-09, Vol.52 (9-10), p.1753-1760 [Periódico revisado por pares] Kidlington: Elsevier Ltd Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo		Reinforcement Learning and Physics Martín-Guerrero, José D. ; Lamata, Lucas Applied sciences, 2021-09, Vol.11 (18), p.8589 [Periódico revisado por pares] Basel: MDPI AG Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	$Understanding \gamma -Ray Induced Instability in AlGaN/GaN HEMTs Using a Physics-Based Compact Model$ $Understanding \gamma -Ray Induced Instability in AlGaN/GaN HEMTs Using a Physics-Based Compact Model$ Material Type: Artigo		Understanding \gamma -Ray Induced Instability in AlGaN/GaN HEMTs Using a Physics-Based Compact Model Sharma, Chandan ; Modolo, Nicola ; Wu, Tian-Li ; Meneghini, Matteo ; Meneghesso, Gaudenzio ; Zanoni, Enrico ; Visvkarma, Ajay Kumar ; Vinayak, Seema ; Singh, Rajendra IEEE transactions on electron devices, 2020-03, Vol.67 (3), p.1126-1131 [Periódico revisado por pares] IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo		Programming Characteristics of Electrochemical Random Access Memory (ECRAM)-Part II: Physics-Based Modeling Porzani, M. ; Carletti, F. ; Ricci, S. ; Farronato, M. ; Ielmini, D. IEEE transactions on electron devices, 2024-05, Vol.71 (5), p.3246-3251 [Periódico revisado por pares] New York: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		A Comparative Study of Different Physics-Based NBTI Models Mahapatra, S. ; Goel, N. ; Desai, S. ; Gupta, S. ; Jose, B. ; Mukhopadhyay, S. ; Joshi, K. ; Jain, A. ; Islam, A. E. ; Alam, M. A. IEEE transactions on electron devices, 2013-03, Vol.60 (3), p.901-916 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo		Modeling of Semiconductor Substrates for RF Applications: Part I-Static and Dynamic Physics of Carriers and Traps Rack, M. ; Allibert, F. ; Raskin, J.-P. IEEE transactions on electron devices, 2021-09, Vol.68 (9), p.4598-4605 [Periódico revisado por pares] New York: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Artigo		A Physics-Based Compact Model for the Static Drain Current in Heterojunction Barrier CNTFETs-Part I: Barrier-Related Current Annamalai, Manojkumar ; Schroter, Michael IEEE transactions on electron devices, 2024-01, Vol.71 (1), p.23-29 [Periódico revisado por pares] New York: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo		Memristor: Part I-The Underlying Physics and Conduction Mechanism Mazady, Anas ; Anwar, Mehdi IEEE transactions on electron devices, 2014-04, Vol.61 (4), p.1054-1061 [Periódico revisado por pares] New York: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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