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1
Band-edge polarized optical absorption in europium telluride
Band-edge polarized optical absorption in europium telluride
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Band-edge polarized optical absorption in europium telluride

M A Manfrini André Bohomoletz Henriques; P H O Rappl; E Abramof; B L Diaz Moreno; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (29. 2006 São Lourenço)

São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 2006

São Paulo 2006

Acesso online

2
Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam
Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam

Eduardo Abramof Valmir Antonio Chitta; Paulo Henrique de Oliveira Rappl; Úrsula Andréia Mengui; Antonio Yukio; N. F Oliveira Jr. (Nei Fernandes); Brazilian MRS Meeting (5. 2006 Florianopólis, SC)

Poster Sessions Abstracts Index : Symposium D Rio de Janeiro : SBPMat, 2006

Rio de Janeiro SBPMat 2006

Acesso online

3
Direct observation of tetragonal distortion in epitaxial structures through secondary peak split in a synchrotron radiation renninger scan
Direct observation of tetragonal distortion in epitaxial structures through secondary peak split in a synchrotron radiation renninger scan
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Direct observation of tetragonal distortion in epitaxial structures through secondary peak split in a synchrotron radiation renninger scan

Alan S de Menezes Adenilson O dos Santos; Juliana M A Almeida; José R R Bortoleto; Monica A Cotta; Sérgio Luiz Morelhão; Lisandro Pavie Cardoso; 40th Anniversary Conference of the British Association for Crystal Growth (BACG) 2009 Bristol, UK

Crystal Growth & Design v. 10, n. 8, p. 3436-3441, 2010

Washington, DC The Society 2010

Acesso online

4
Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots
Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots

I R Pagnossin E C F da Silva; A. A Quivy (Alain André); S Martini; C. S Sergio; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (28. 2005 Santos)

Resumos São Paulo : SBF, 2005

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 2005

Acesso online

5
Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy structural, optical and electrical properties
Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy structural, optical and electrical properties
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy structural, optical and electrical properties

Marcelo Rizzo Piton Eero Koivusalo; Soile Suomalainen; Sérgio Paulo Amaral Souto; Helder Vinícius Avanço Galeti; Donald Lupo; Ariano de Giovanni Rodrigues; Paulo Sérgio Pizani; Yara Galvao Gobato; Mircea Guina; Brazilian MRS Meeting (17. 2018 Natal, RN)

Proceedings Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2018

Rio de Janeiro Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat 2018

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction
Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction

Ahmad Alzeidan Tiago Fernandes de Cantalice; Kevin. D Vallejo; Paul J Simmonds; Alain André Quivy; Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) (35th 2021 Campinas, SP - Brasil)

New York IEEE 2022

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7
Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy
Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy

Victor Manuel Orlando Curbelo Ahmad Alzeidan; Alain André Quivy; Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) (36th 2022 Porto Alegre, RS - Brasil)

New York IEEE 2022

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8
Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction
Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction

Thales Borrely dos Santos Ahmad Alzeidan; Marcelo Delmondes de Lima; Gabriel Marques Jacobsen; T Y Huang; Y C Yang; Tiago Fernandes de Cantalice; R S Goldman; M D Teodoro; Alain André Quivy

Solar Energy Materials and Solar Cells Amsterdan v. 254, 112281, 2023

Amsterdan Elsevier 2023

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9
Estudo de magneto-transporte em heteroestruturas GaAs/AlGaAs
Estudo de magneto-transporte em heteroestruturas GaAs/AlGaAs
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de magneto-transporte em heteroestruturas GaAs/AlGaAs

Márcio Leandro Rotondo Ederson Donizeti de Sante Pinheiro; Yuri A Pusep; Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo - SIICUSP : Exatas e Engenharias (14. 2006 São Paulo)

Resumos São Paulo : USP, 2006

São Paulo USP 2006

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD013015 ) e outros locais(Acessar)

10
In-segregation measurements by RHEED during growth comparison between vicinal and nominal substrat
In-segregation measurements by RHEED during growth comparison between vicinal and nominal substrat
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

In-segregation measurements by RHEED during growth comparison between vicinal and nominal substrat

S Martini A. A Quivy (Alain André); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; E B Marques; 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006 2006

AIP Conference Proceedings v. 893, p. 17-18, 2007

New York The Institute 2007

Acesso online

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Deste Autor:

  1. Quivy, A
  2. Galeti, H
  3. Gobato, Y
  4. Souto, S
  5. Guina, M

Neste Assunto:

  1. Epitaxia Por Feixe Molecular
  2. Semicondutores
  3. Fotodetectores
  4. Células Solares
  5. Filmes Finos

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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