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Determinação da atividade antimicrobiana na fase vapor do óleo essencial de Hesperozygis myrtoides (St.Hil. ex Benth.) Epling
Determinação da atividade antimicrobiana na fase vapor do óleo essencial de Hesperozygis myrtoides (St.Hil. ex Benth.) Epling
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Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Determinação da atividade antimicrobiana na fase vapor do óleo essencial de Hesperozygis myrtoides (St.Hil. ex Benth.) Epling

Pereira, Marcos Aurélio Almeida

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Faculdade de Ciências Farmacêuticas 2016-09-01

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
The Relativistic Nature of Entropy Changes
The Relativistic Nature of Entropy Changes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The Relativistic Nature of Entropy Changes

C. Z. Mammana

Brazilian Journal of Physics New York: Springer Nature, 2021 11 p., 21 de junho de 2021, online

New York 2021

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3
Growth of bulk GaN crystals
Growth of bulk GaN crystals
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Growth of bulk GaN crystals

Kucharski, R. ; Sochacki, T. ; Lucznik, B. ; Bockowski, M.

Journal of applied physics, 2020-08, Vol.128 (5) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Essential oils in vapor phase as alternative antimicrobials: A review
Essential oils in vapor phase as alternative antimicrobials: A review
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Essential oils in vapor phase as alternative antimicrobials: A review

Reyes-Jurado, Fatima ; Navarro-Cruz, Addí Rhode ; Ochoa-Velasco, Carlos Enrique ; Palou, Enrique ; López-Malo, Aurelio ; Ávila-Sosa, Raúl

Critical reviews in food science and nutrition, 2020-05, Vol.60 (10), p.1641-1650 [Periódico revisado por pares]

United States: Taylor & Francis

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Citações Citado por
5
Temperature-dependent capacitance–voltage and current–voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n ––Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy
Temperature-dependent capacitance–voltage and current–voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n ––Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Temperature-dependent capacitance–voltage and current–voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n ––Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy

Higashiwaki, Masataka ; Konishi, Keita ; Sasaki, Kohei ; Goto, Ken ; Nomura, Kazushiro ; Thieu, Quang Tu ; Togashi, Rie ; Murakami, Hisashi ; Kumagai, Yoshinao ; Monemar, Bo ; Koukitu, Akinori ; Kuramata, Akito ; Yamakoshi, Shigenobu

Applied physics letters, 2016-03, Vol.108 (13), p.133503 [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Room temperature H2S gas sensor based on rather aligned ZnO nanorods with flower-like structures
Room temperature H2S gas sensor based on rather aligned ZnO nanorods with flower-like structures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Room temperature H2S gas sensor based on rather aligned ZnO nanorods with flower-like structures

Hosseini, Z.S. ; zad, A. Iraji ; Mortezaali, A.

Sensors and actuators. B, Chemical, 2015-02, Vol.207, p.865-871 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Nitrogen-polar growth of AlN on vicinal (0001) sapphire by MOVPE
Nitrogen-polar growth of AlN on vicinal (0001) sapphire by MOVPE
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Nitrogen-polar growth of AlN on vicinal (0001) sapphire by MOVPE

Pampili, Pietro ; Pristovsek, Markus

Journal of applied physics, 2024-05, Vol.135 (19) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

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8
Homoepitaxy Growth of High‐Quality AlN Film on MOCVD AlN Template by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Homoepitaxy Growth of High‐Quality AlN Film on MOCVD AlN Template by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Homoepitaxy Growth of High‐Quality AlN Film on MOCVD AlN Template by Hydride Vapor Phase Epitaxy

Li, Chunpeng ; Gao, Xiaodong ; Wang, Xiaodan ; Dong, Xiaoming ; Zeng, Xionghui ; Chen, Jiafan ; Wang, Chuang ; Wang, Luhua ; Chen, Jingjing ; Wei, Sida ; Xu, Ke

physica status solidi (b), 2023-04, Vol.260 (4), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Low temperature homoepitaxy of (010) β-Ga2O3 by metalorganic vapor phase epitaxy: Expanding the growth window
Low temperature homoepitaxy of (010) β-Ga2O3 by metalorganic vapor phase epitaxy: Expanding the growth window
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Low temperature homoepitaxy of (010) β-Ga2O3 by metalorganic vapor phase epitaxy: Expanding the growth window

Bhattacharyya, Arkka ; Ranga, Praneeth ; Roy, Saurav ; Ogle, Jonathan ; Whittaker-Brooks, Luisa ; Krishnamoorthy, Sriram

Applied physics letters, 2020-10, Vol.117 (14) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

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10
Machine learning supported analysis of MOVPE grown β-Ga2O3 thin films on sapphire
Machine learning supported analysis of MOVPE grown β-Ga2O3 thin films on sapphire
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Machine learning supported analysis of MOVPE grown β-Ga2O3 thin films on sapphire

Chou, Ta-Shun ; Bin Anooz, Saud ; Grüneberg, Raimund ; Dropka, Natasha ; Miller, Wolfram ; Tran, Thi Thuy Vi ; Rehm, Jana ; Albrecht, Martin ; Popp, Andreas

Journal of crystal growth, 2022-08, Vol.592, p.126737, Article 126737 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Autor/Criador 

  1. Mammana, C  (1)
  2. Pereira, M  (1)
  3. Moreno, P  (1)
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Data de Publicação 

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  3. 1977Até1992  (3.844)
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  5. Após 2009  (23.197)
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  2. Pereira, M
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