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Material Type: Recurso Textual
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Étude rétrospective critique concernant 244 patients porteurs de fentes labio-palatines opérées primitivement a l'hopital Saint-Antoine (1re partie du travail portant sur les 7 premières années de la vie)J. L Grignon G Flageul; E Achard; H Lambert; F. F Martin; C Rousso; N ViziozAnnales de Chirurgie Plastique v. 23, n. 2, p. 73-79, 1978Paris 1978Localização: FOB-HRAC - Fac. Odontologia de Bauru-HRAC (198/S )(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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Low defect InGaAs quantum well selectively grown by metal organic chemical vapor deposition on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devicesCipro, R. ; Baron, T. ; Martin, M. ; Moeyaert, J. ; David, S. ; Gorbenko, V. ; Bassani, F. ; Bogumilowicz, Y. ; Barnes, J. P. ; Rochat, N. ; Loup, V. ; Vizioz, C. ; Allouti, N. ; Chauvin, N. ; Bao, X. Y. ; Ye, Z. ; Pin, J. B. ; Sanchez, E.Applied physics letters, 2014-06, Vol.104 (26) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Single-mode waveguides for GRAVITYPerraut, K. ; Jocou, L. ; Berger, J. P. ; Chabli, A. ; Cardin, V. ; Chamiot-Maitral, G. ; Delboulbé, A. ; Eisenhauer, F. ; Gambérini, Y. ; Gillessen, S. ; Guieu, S. ; Guerrero, J. ; Haug, M. ; Hausmann, F. ; Joulain, F. ; Kervella, P. ; Labeye, P. ; Lacour, S. ; Lanthermann, C. ; Lapras, V. ; Le Bouquin, J. B. ; Lippa, M. ; Magnard, Y. ; Moulin, T. ; Noël, P. ; Nolot, A. ; Patru, F. ; Perrin, G. ; Pfuhl, O. ; Pocas, S. ; Poulain, S. ; Scibetta, C. ; Stadler, E. ; Templier, R. ; Ventura, N. ; Vizioz, C. ; Amorim, A. ; Brandner, W. ; Straubmeier, C.Astronomy and astrophysics (Berlin), 2018-06, Vol.614 [Periódico revisado por pares]Heidelberg: EDP SciencesTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Single-mode waveguides for GRAVITY: I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combinerPerraut, K. ; Jocou, L. ; Berger, J. P. ; Chabli, A. ; Cardin, V. ; Chamiot-Maitral, G. ; Delboulbé, A. ; Eisenhauer, F. ; Gambérini, Y. ; Gillessen, S. ; Guieu, S. ; Guerrero, J. ; Haug, M. ; Hausmann, F. ; Joulain, F. ; Kervella, P. ; Labeye, P. ; Lacour, S. ; Lanthermann, C. ; Lapras, V. ; Le Bouquin, J. B. ; Lippa, M. ; Magnard, Y. ; Moulin, T. ; Noël, P. ; Nolot, A. ; Patru, F. ; Perrin, G. ; Pfuhl, O. ; Pocas, S. ; Poulain, S. ; Scibetta, C. ; Stadler, E. ; Templier, R. ; Ventura, N. ; Vizioz, C. ; Amorim, A. ; Brandner, W. ; Straubmeier, C.Astronomy and astrophysics (Berlin), 2018-06, Vol.614, p.A70 [Periódico revisado por pares]EDP SciencesTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Single-mode waveguides for GRAVITY I. The cryogenic 4-telescope integrated optics beam combinerPerraut, K ; Jocou, L ; Berger, J.P ; Chabli, A ; Cardin, V ; Chamiot-Maitral, G ; Delboulbe, A ; Eisenhauer, F ; Gamberini, Y ; Gillessen, S ; Guieu, S ; Guerrero, J ; Haug, M ; Hausmann, F ; Joulain, F ; Kervella, P ; Labeye, P ; Lacour, S ; Lanthermann, C ; Lapras, V ; Le Bouquin, J.B ; Lippa, M ; Magnard, Y ; Moulin, T ; Noel, P ; Nolot, A ; Patru, F ; Perrin, G ; Pfuhl, O ; Pocas, S ; Poulain, S ; Scibetta, C ; Stadler, E ; Templier, R ; Ventura, N ; Vizioz, C ; Amorim, A ; Brandner, W ; Straubmeier, CASTRONOMY & ASTROPHYSICS, 2018-06, Vol.614 [Periódico revisado por pares]EDP SCIENCES S ATexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Low defect InGaAs quantum well selectively grown by MOCVD on Si(100) 300 mm wafers for next generation non planar devicesCipro, R. ; Baron, T. ; Martin, M. ; Moeyaert, J. ; David, S. ; Gorbenko, V. ; Bassani, F. ; Bogumilowicz, Y. ; Barnes, J. ; Rochat, N. ; Loup, V. ; Vizioz, C. ; Allouti, N. ; Chauvin, Nicolas ; Bao, X. ; Ye, Z. ; Pin, J. ; Sanchez, E.Applied physics letters, 2014-07, Vol.104 (26) [Periódico revisado por pares]American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Ultra-dense silicon nanowires: A technology, transport and interfaces challenges insight (invited)Ernst, T. ; Barraud, S. ; Tachi, K. ; Vizioz, C. ; Magis, T. ; Brianceau, P. ; Hubert, A. ; Vulliet, N. ; Hartmann, J.-M. ; Cassé, M.Microelectronic engineering, 2011-07, Vol.88 (7), p.1198-1202 [Periódico revisado por pares]Amsterdam: Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Patterning Strategy for Monoelectronic Device Platform in a Complementary Metal Oxide Semiconductor TechnologyPauliac-Vaujour, Sebastien ; Wacquez, Romain ; Vizioz, Christian ; Chevolleau, Thierry ; Pierre, Mathieu ; Previtali, Bernard ; Comboroure, Corinne ; Bove, Nadine ; Roche, Benoit ; Vinet, Maud ; Jehl, Xavier ; Sanquer, Marc ; Sixt, PierreJapanese Journal of Applied Physics, 2011-06, Vol.50 (6), p.06GF15-06GF15-5 [Periódico revisado por pares]The Japan Society of Applied PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Ata de Congresso
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Single dopant impact on electrical characteristics of SOI NMOSFETs with effective length down to 10nmWacquez, R ; Vinet, M ; Pierre, M ; Roche, B ; Jehl, X ; Cueto, O ; Verduijn, J ; Tettamanzi, G C ; Rogge, S ; Deshpande, V ; Previtali, B ; Vizioz, C ; Pauliac-Vaujour, S ; Comboroure, C ; Bove, N ; Faynot, O ; Sanquer, M2010 Symposium on VLSI Technology, 2010, p.193-194IEEETexto completo disponível |
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Material Type: Ata de Congresso
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Dry Etch Challenges in Gate All Around Devices for sub 32 nm ApplicationsBarnola, Sebastien ; Vizioz, Christian ; Vulliet, Nathalie ; Dupré, Cécilia ; Ernst, Thomas ; Gautier, Pauline ; Arvet, Christian ; Guillaumot, Bernard ; Bernard, Emilie ; Pauliac-Vaujeour, S. ; Comboroure, Corine ; Hartmann, Jean-Michel ; Borel, Stephan ; Chevolleau, Thierry ; Maffini-Alvaro, V ; Becu, SECS transactions, 2009, Vol.16 (10), p.923-934Texto completo disponível |