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1
0.0012 mm super( 2), 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
0.0012 mm super( 2), 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.0012 mm super( 2), 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate

Chen, Yong ; Mak, Pui-In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-05, Vol.49 (11), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
0.0045 mm super(2) 15.8 mu W three-stage amplifier driving l0x-wide (0.15-1.5 nF) capacitive loads with &gt;50[degrees] phase margin
0.0045 mm super(2) 15.8 mu W three-stage amplifier driving l0x-wide (0.15-1.5 nF) capacitive loads with &gt;50[degrees] phase margin
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.0045 mm super(2) 15.8 mu W three-stage amplifier driving l0x-wide (0.15-1.5 nF) capacitive loads with >50[degrees] phase margin

Yan, Zushu ; Mak, Pui-In ; Law, Man-Kay ; Martins, Rui Paulo

Electronics letters, 2015-03, Vol.51 (6), p.454-456 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
0.012 mm super(2) 800 mu W 0.1-6.4 GHz multi-protocol PLL with 14 ps sub(rms) integrated jitter in 28 nm FD-SOI
0.012 mm super(2) 800 mu W 0.1-6.4 GHz multi-protocol PLL with 14 ps sub(rms) integrated jitter in 28 nm FD-SOI
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.012 mm super(2) 800 mu W 0.1-6.4 GHz multi-protocol PLL with 14 ps sub(rms) integrated jitter in 28 nm FD-SOI

Gupta, N ; Lahiri, A ; Kumar, A

Electronics letters, 2016-09, Vol.52 (18), p.1518-1520 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
0.013 mm super( 2), kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency
0.013 mm super( 2), kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.013 mm super( 2), kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency

Chen, Yong ; Mak, Pui-In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-10, Vol.49 (21), p.1340-1340 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
0.058 mm2 13 Gbit/s inductorless analogue equaliser with low-frequency equalisation compensating 15 dB channel loss
0.058 mm2 13 Gbit/s inductorless analogue equaliser with low-frequency equalisation compensating 15 dB channel loss
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.058 mm2 13 Gbit/s inductorless analogue equaliser with low-frequency equalisation compensating 15 dB channel loss

Balachandran, Arya ; Chen, Yong ; Choi, Pilsoon ; Boon, Chirn Chye

Electronics letters, 2018-01, Vol.54 (2), p.72-74 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs
0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs

Luo, Zhengqian ; Zhong, Min ; Ruan, Qiujun ; Huang, Yizhong ; Guo, Changlei ; Xu, Huiying ; Che, Kaijun ; Xu, Bin ; Cai, Zhiping

IEEE photonics journal, 2016-04, Vol.8 (2), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
0.13 &#956;m CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
0.13 &#956;m CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination

Vasjanov, Aleksandr ; Barzdenas, Vaidotas

Electronics (Basel), 2020-01, Vol.9 (1), p.133 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
0.1wt% Boron addition Effect on dynamic compressive mechanical properties of Ti-6Al-4V alloy
0.1wt% Boron addition Effect on dynamic compressive mechanical properties of Ti-6Al-4V alloy
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1wt% Boron addition Effect on dynamic compressive mechanical properties of Ti-6Al-4V alloy

Yu, Yang ; Hui, Songxiao ; Mi, Xujun ; Ye, Wenjun ; Gao, Qi Jawaid, M. ; Kenawy, El-R.

MATEC Web of Conferences, 2016, Vol.67, p.5018 [Periódico revisado por pares]

Les Ulis: EDP Sciences

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
A $0$-$1$ law for vertex-reinforced random walks on $\mathbb{Z}$ with weight of order $k^\alpha$, $\alpha\in[0,1/2
A $0$-$1$ law for vertex-reinforced random walks on $\mathbb{Z}$ with weight of order $k^\alpha$, $\alpha\in[0,1/2
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A $0$-$1$ law for vertex-reinforced random walks on $\mathbb{Z}$ with weight of order $k^\alpha$, $\alpha\in[0,1/2

Schapira, Bruno

Electronic communications in probability, 2012-01, Vol.17 (none) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
A 0.0012 mm2 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
A 0.0012 mm2 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.0012 mm2 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS

An, Eun-Ji ; Oh, Dong-Ryeol

Electronics (Basel), 2022-05, Vol.11 (11), p.1707 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

Texto completo disponível

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  2. 1959Até1974  (2.254)
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  4. 1991Até2007  (80.261)
  5. Após 2007  (1.139.556)
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  5. Francês  (22.528)
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  7. Alemão  (11.023)
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