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1
Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'
Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'
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Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'

A A Bernussi P Motisuke; Pierre Basmaji; A C Notari; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology (1989 Brasília)

Brasília : Universidade de Brasília, 1989 Program and Abstracts

Brasília Universidade de Brasilia 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000354 ) e outros locais(Acessar)

2
Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe caracterizacao e morfologia da superficie
Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe caracterizacao e morfologia da superficie
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe caracterizacao e morfologia da superficie

Pierre Basmaji Máximo Siu Li; A M Ceschin; J Migliato; E Minami; E Manzoli; B Scharappe; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (12. 1989 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1989

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001037 ) e outros locais(Acessar)

3
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
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Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'

Pierre Basmaji A M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke; International Conference on Modulated Semiconductor Structures (4. 1989 Ann Arbor)

Proceedings Ann Arbor, 1989

Ann Arbor 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000004-SC ) e outros locais(Acessar)

4
Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE
Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE
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Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE

A. A. Bernussi F Ilkawa; P Motisuke; P Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipolito; International Conference on the Electronic Properties of Two-dimensional Systems - EP2DS8 (8. 1989 Grenoble)

Abstracts Grenoble, 1989

Grenoble 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001368-SC )(Acessar)

5
MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence
MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence
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MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence

A. A. Bernussi P Motisuke; Pierre Basmaji; A. M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Escola Brasileira de Física de Semicondutores (4. 1989 Belo Horizonte)

Anais Belo Horizonte : UFMG, 1989

Belo Horizonte UFMG 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000977 )(Acessar)

6
MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'

Pierre Basmaji A. M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A. A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke; Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology (1989 Brasília)

Brasília : Universidade de Brasília, 1989 Program and Abstracts

Brasília Universidade de Brasilia 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001671 )(Acessar)

7
Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'
Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'
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Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'

E. Minami J Migliato; A Notari; A. M Ceschin; P Basmaji; Maximo Siu Li; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (10. 1989 São José dos Campos)

Anais São José dos Campos : 1989

São José dos Campos 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001031 )(Acessar)

8
Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular
Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular
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Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular

J. E. Manzoli B. J Scrappe; A. C Notari; A. M Ceschin; Máximo Siu Li; P Basmaji; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (10. 1989 São José dos Campos)

Anais São José dos Campos, 1989

São José dos Campos 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001032 )(Acessar)

9
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI' 'GA''AS'
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI' 'GA''AS'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI' 'GA''AS'

Pierre Basmaji A C Notari; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A A Bernussi; P Motisuke; March Meeting (1990 Anaheim)

v.35, n.3 , p.346, mar. 1990 Bulletin of the American Physical Society

1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000243 ) e outros locais(Acessar)

10
Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe
Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe

A C Notari N Lapasse; Máximo Siu Li; Pierre Basmaji; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (13. 1990 São Paulo)

Programa e Resumos São Paulo : Sbf, 1990

São Paulo Sbf 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001254 ) e outros locais(Acessar)

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  1. Basmaji, P
  2. Siu Li, M
  3. Hipólito, O
  4. Motisuke, P
  5. Bernussi, A

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Física
  3. Semicondutores
  4. Fotônica
  5. Matéria Condensada (Propriedades Elétricas)

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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