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0 6,5′-Cyclonucleosides. Reactions of 5-iodopyrimidine nucleosides with base
0 6,5′-Cyclonucleosides. Reactions of 5-iodopyrimidine nucleosides with base
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0 6,5′-Cyclonucleosides. Reactions of 5-iodopyrimidine nucleosides with base

Lipkin, D. ; Cori, C. ; Sano, M.

Tetrahedron letters, 1968, Vol.9 (57), p.5993-5996 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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2
0.11 /spl mu/m fully-depleted SOI CMOS devices with 26 nm silicon layer fabricated by bulk compatible process
0.11 /spl mu/m fully-depleted SOI CMOS devices with 26 nm silicon layer fabricated by bulk compatible process
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.11 /spl mu/m fully-depleted SOI CMOS devices with 26 nm silicon layer fabricated by bulk compatible process

Komatsu, H. ; Nakayama, H. ; Koyama, K. ; Matsumoto, K. ; Ohno, T. ; Takeshita, K.

2001 IEEE International SOI Conference. Proceedings (Cat. No.01CH37207), 2001, p.23-24 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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3
0.1W GM冷凍機によるトップローディング型1K冷凍機の開発
0.1W GM冷凍機によるトップローディング型1K冷凍機の開発
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1W GM冷凍機によるトップローディング型1K冷凍機の開発

高山, 榛佳 ; 西岡, 孝 ; 宮本, 悟 ; 門, 恒夫

日本物理学会講演概要集, 2019, pp.1931-1931

一般社団法人 日本物理学会

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4
0.3 nm-high atomic-step patterning onto large PMMA surface by thermal nanoimprint
0.3 nm-high atomic-step patterning onto large PMMA surface by thermal nanoimprint
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.3 nm-high atomic-step patterning onto large PMMA surface by thermal nanoimprint

Tan, Geng ; Inoue, Naoya ; Funabasama, Tomoyuki ; Mita, Masahiro ; Okuda, Norimichi ; Mori, Junichi ; Koyama, Koji ; Nakagawa, Masaru ; Matsuda, Akifumi ; Yoshimoto, Mamoru

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, 2014/03/03, pp.1505-1505

The Japan Society of Applied Physics

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5
0.43 THz emission from high- T c superconducting emitters optimized at 77 K
0.43 THz emission from high- T c superconducting emitters optimized at 77 K
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.43 THz emission from high- T c superconducting emitters optimized at 77 K

Minami, H ; Watanabe, C ; Kashiwagi, T ; Yamamoto, T ; Kadowaki, K ; Klemm, R A

Journal of physics. Condensed matter, 2016-01, Vol.28 (2), p.25701 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
0.43 THz emission from high-Tc superconducting emitters optimized at 77 K
0.43 THz emission from high-Tc superconducting emitters optimized at 77 K
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.43 THz emission from high-Tc superconducting emitters optimized at 77 K

Minami, H ; Watanabe, C ; Kashiwagi, T ; Yamamoto, T ; Kadowaki, K ; Klemm, R A

Journal of physics. Condensed matter, 2015-12, Vol.28 (2) [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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7
0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiO x interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO 2 and Si substrate
0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiO x interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO 2 and Si substrate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiO x interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO 2 and Si substrate

Ogawa, A. ; Iwamoto, K. ; Ota, H. ; Morita, Y. ; Ikeda, M. ; Nabatame, T. ; Toriumi, A.

Microelectronic engineering, 2007, Vol.84 (9), p.1861-1864 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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8
0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO2 and Si substrate
0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO2 and Si substrate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO2 and Si substrate

OGAWA, A ; IWAMOTO, K ; OTA, H ; MORITA, Y ; IKEDA, M ; NABATAME, T ; TORIUMI, A

Microelectronic engineering, 2007-09, Vol.84 (9-10), p.1861-1864 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier Science

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9
0.85 µm bottom-emitting vertical-cavity surface-emitting laser diode arrays grown on AlGaAs substrates
0.85 µm bottom-emitting vertical-cavity surface-emitting laser diode arrays grown on AlGaAs substrates
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.85 µm bottom-emitting vertical-cavity surface-emitting laser diode arrays grown on AlGaAs substrates

Ohiso, Y. ; Kurokawa, T. ; Kohama, Y.

Electronics letters, 1994-08, Vol.30 (17), p.1406-1407, Article 1406 [Periódico revisado por pares]

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10
A 0.23 pJ 11.05-bit ENOB 125-MS/s pipelined ADC in a 0.18 μm CMOS processProject supported by the Foundation of Shanghai Municipal Commission of Economy and Informatization (No. 130311)
A 0.23 pJ 11.05-bit ENOB 125-MS/s pipelined ADC in a 0.18 μm CMOS processProject supported by the Foundation of Shanghai Municipal Commission of Economy and Informatization (No. 130311)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.23 pJ 11.05-bit ENOB 125-MS/s pipelined ADC in a 0.18 μm CMOS processProject supported by the Foundation of Shanghai Municipal Commission of Economy and Informatization (No. 130311)

Wang, Yong ; Zhang, Jianyun ; Yin, Rui ; Zhao, Yuhang ; Zhang, Wei

Journal of semiconductors, 2015-05, Vol.36 (5) [Periódico revisado por pares]

Chinese Institute of Electronics

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  1. Science & Technology
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