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(0 0 1) Ideal-surface band structure for the series of Cu-based A I B III C 2 VI chalcopyrites
(0 0 1) Ideal-surface band structure for the series of Cu-based A I B III C 2 VI chalcopyrites
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(0 0 1) Ideal-surface band structure for the series of Cu-based A I B III C 2 VI chalcopyrites

Tototzintle-Huitle, H. ; Baquero, R.

The Journal of physics and chemistry of solids, 2007, Vol.68 (1), p.1-9 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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2
0.00035 mm2 on-chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process
0.00035 mm2 on-chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process
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0.00035 mm2 on-chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process

Oh, G.-G ; Lee, Y.-W ; Lee, B

Electronics letters, 2018-02, Vol.54 (4), p.213-215 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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3
[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
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[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester

Kim, Jong-Hyun ; Woo, Jong-Un ; Yee, Yeon-Jeong ; Kim, In-Su ; Shin, Ho-Sung ; Hwang, Hyun-Gyu ; Kweon, Sang Hyo ; Choi, Hyun-Ju ; Nahm, Sahn

Applied surface science, 2021-01, Vol.537, p.147871, Article 147871 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency
0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency
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0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency

Xu, Peng ; Jiang, Wei Xiang ; Cai, Xiao ; Wang, Zheng Xing ; Cui, Tie Jun

Journal of physics. D, Applied physics, 2019-09, Vol.52 (37), p.375105 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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5
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
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0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets

Li, Mujie ; Zhang, Zhongyi ; Xiong, Hailang ; Wang, Linan ; Zhuang, Shuxian ; Argyle, Morris D. ; Tang, Yang ; Yang, Xiaojin ; Chen, Yongmei ; Wan, Pingyu ; Fan, Maohong

ChemElectroChem, 2020-07, Vol.7 (14), p.3089-3097 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: John Wiley & Sons, Inc

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6
3 K: The Cosmic Microwave Background Radiation
3 K: The Cosmic Microwave Background Radiation
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3 K: The Cosmic Microwave Background Radiation

R. B. Partridge Andrew King; Douglas Lin; Stephen Maran; Jim Pringle

Cambridge Cambridge University Press 1995

Acesso online

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(A) 0

J. Thompson, Benjamin ; Jankovic, Vladimir ; Gao, Jie ; Buonamici, Silvia ; Vest, Alan ; May Lee, Jennifer ; Zavadil, Jiri ; D. Nimer, Stephen ; Aifantis, Iannis

figshare 2011

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8
A 0.000747 %/V, 64.59 dB PSRR CMOS-only voltage reference for ultra-low power WSN applications
A 0.000747 %/V, 64.59 dB PSRR CMOS-only voltage reference for ultra-low power WSN applications
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A 0.000747 %/V, 64.59 dB PSRR CMOS-only voltage reference for ultra-low power WSN applications

Dong, Siwan ; Li, Jiaqi ; Bu, Sen ; Liu, Changxiang ; Tong, Xingyuan

International journal of electronics and communications, 2022-12, Vol.157, p.154420, Article 154420 [Periódico revisado por pares]

Elsevier GmbH

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9
A 0.0016 mm² 0.64 nJ leakage-based CMOS temperature sensor
A 0.0016 mm² 0.64 nJ leakage-based CMOS temperature sensor
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A 0.0016 mm² 0.64 nJ leakage-based CMOS temperature sensor

Ituero, Pablo ; López-Vallejo, Marisa ; López-Barrio, Carlos

Sensors (Basel, Switzerland), 2013-09, Vol.13 (9), p.12648-12662 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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10
A 0.002‐mm2 8‐bit 1‐MS/s low‐power time‐based DAC (T‐DAC)
A 0.002‐mm2 8‐bit 1‐MS/s low‐power time‐based DAC (T‐DAC)
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A 0.002‐mm2 8‐bit 1‐MS/s low‐power time‐based DAC (T‐DAC)

Hassan, Ali H. ; Mostafa, Hassan ; Refky, Mohamed ; Salama, Khaled N. ; Soliman, Ahmed M.

IET circuits, devices & systems, 2021-11, Vol.15 (8), p.738-744 [Periódico revisado por pares]

Hindawi-IET

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Data de Publicação 

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  5. Após 2008  (5.409.561)
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  1. Lin, J
  2. Lin, C
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  1. Science & Technology
  2. Life Sciences & Biomedicine
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