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1	Material Type: Artigo		0‐3 magnetic nanocomposites via EPD: Current status for power component fabrication and future directions Mills, Sara C. ; Patterson, Eric A. ; Andrew, Jennifer S. Journal of the American Ceramic Society, 2024-03, Vol.107 (3), p.1859-1870 [Periódico revisado por pares] Columbus: Wiley Subscription Services, Inc Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo		{0001} Slip and Basal Twinning in Sapphire Single Crystals Shock-Loaded at Room Temperature Wang, Yucong ; Mikkola, Donald E. Journal of the American Ceramic Society, 1992-12, Vol.75 (12), p.3252-3256 [Periódico revisado por pares] Oxford, UK: Blackwell Publishing Ltd Sem texto completo Serviços Detalhes Resenhas & Tags Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo		0.25 mu m gate-length, MBE-grown AlGaN/ GaN HEMTs with high current and high f sub( T) Kumar, V ; Lu, W ; Schwindt, R ; Van Hove, J ; Chow, P ; Adesida, I Electronics letters, 2001-06, Vol.37 (13), p.1-1 [Periódico revisado por pares] Sem texto completo Serviços Detalhes Resenhas & Tags Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo		0.25 μm emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100 Kashio, N ; Kurishima, K ; Ida, M ; Matsuzaki, H Electronics letters, 2014-10, Vol.50 (22), p.1631-1633 [Periódico revisado por pares] The Institution of Engineering and Technology Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	Material Type: Artigo		0.2μm AlSb/InAs HEMTs with 5V gate breakdown voltage BOOS, J. B ; KRUPPA, W ; PARK, D ; SHANABROOK, B. V ; BENNETT, B. R Electronics letters, 1994, Vol.30 (23), p.1983-1984 [Periódico revisado por pares] London: Institution of Electrical Engineers Sem texto completo Serviços Detalhes Resenhas & Tags Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo		0.7 Å Resolution Electron Tomography Enabled by Deep‐Learning‐Aided Information Recovery Wang, Chunyang ; Ding, Guanglei ; Liu, Yitong ; Xin, Huolin L. Advanced intelligent systems, 2020-12, Vol.2 (12), p.n/a [Periódico revisado por pares] Weinheim: John Wiley & Sons, Inc Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		0.85 THz truncated sine waveguide traveling-wave tube with sheet beam tunnel Fang, Shuanzhu ; Xu, Jin ; Jang, Xuebin ; Lei, Xia ; Ding, Chong ; Li, Qian ; Wu, Gangxiong ; Yang, Ruichao ; Zhang, Luqi ; Huang, Minzhi ; Tang, Tao ; Zhao, Guoqing ; Wang, Zhanliang ; Wang, Wenxiang ; Feng, Jinjun ; Gong, Yubin ; Wei, Yanyu Journal of engineering (Stevenage, England), 2018, Vol.2018 (14), p.665-668 [Periódico revisado por pares] The Institution of Engineering and Technology Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo		0D–2D and 1D–2D Semiconductor Hybrids Composed of All Inorganic Perovskite Nanocrystals and Single‐Layer Graphene with Improved Light Harvesting Chen, Jia‐Shiang ; Doane, Tennyson L. ; Li, Mingxing ; Zang, Huidong ; Maye, Mathew M. ; Cotlet, Mircea Particle & particle systems characterization, 2018-02, Vol.35 (2), p.n/a [Periódico revisado por pares] Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Artigo		0D/2D Heterostructures Vertical Single Electron Transistor Mouafo, Louis Donald Notemgnou ; Godel, Florian ; Simon, Laurent ; Dappe, Yannick J. ; Baaziz, Walid ; Noumbé, Ulrich Nguétchuissi ; Lorchat, Etienne ; Martin, Marie‐Blandine ; Berciaud, Stéphane ; Doudin, Bernard ; Ersen, Ovidiu ; Dlubak, Bruno ; Seneor, Pierre ; Dayen, Jean‐Francois Advanced functional materials, 2021-02, Vol.31 (9), p.n/a [Periódico revisado por pares] Hoboken: Wiley Subscription Services, Inc Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo		0•7 W single-drift GaAs impatt diodes for millimetre-wave frequencies ZHANG, X ; FREYER, J Electronics letters, 1984, Vol.20 (9), p.359-360 [Periódico revisado por pares] London: Institution of Electrical Engineers Sem texto completo Serviços Detalhes Resenhas & Tags Nº de Citações Citações Citado por

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